Diodes Incorporated 2N7002KQ-7

Name: Diodes Incorporated 2N7002KQ-7
Price: 0.0840 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

60V 380mA 3@5V,0.05A 540mW 2.5V@1mA SOT-23 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

2N7002KQ-7

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C72470780

封装:SOT-23

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属性	值
制造商产品编号	2N7002KQ-7
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	5pF
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	60V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	-
Output Capacitance(Coss)	25pF
Input Capacitance(Ciss)	50pF
Current - Continuous Drain(Id)	380mA
Pd - Power Dissipation	540mW
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.5V@1mA
Gate Charge(Qg)	300pC@10V
RDS(on)	3Ω@5V,0.05A
Package	SOT-23
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.169

概述

The 2N7002KQ-7, manufactured by Diodes Incorporated, is a highly efficient N-channel MOSFET designed for low voltage applications. It features low on-resistance for enhanced power efficiency and fast switching capabilities, making it suitable for various electronic designs. This device operates effectively in a wide temperature range, ensuring reliability under different conditions. Its compact package allows for easy integration into space-constrained applications.

特征

Low on-resistance : Provides improved power efficiency by minimizing power losses.

Fast switching speed : Facilitates efficient operation in high-frequency applications.

Wide operating temperature range : Enhances reliability and performance across various environments.

Small footprint : Enables efficient use of PCB space for compact designs.

ESD protection : Ensures device reliability by safeguarding against electrostatic discharge.

应用

Power management : Used in switching regulators and converters for efficient power handling.

Signal switching : Suitable for applications requiring rapid signal modulation.

Battery management : Facilitates power control in battery charging and discharging circuits.

LED drivers : Enhances performance in lighting applications by controlling current flow.

Motor control : Assists in controlling DC motors for precise movement and operation.

RF amplification : Used in radio frequency applications for reliable signal amplification.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat dissipation techniques must be implemented to avoid overheating under load.

Gate voltage levels : Ensure that the gate-source voltage is within specified limits for optimal performance.

Switching frequency : Consider the impact of frequency on efficiency, especially in power conversion applications.

Load characteristics : Match the MOSFET's specifications with the load requirements for effective operation.

Circuit protection : Implement appropriate protection measures to prevent damage from voltage spikes.

常见问题

Q: What is the maximum gate-source voltage for 2N7002KQ-7?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V.

Q: Can 2N7002KQ-7 be used for high power applications?

A: It is primarily designed for low power applications; using it in high power scenarios may lead to failure.

Q: What is the on-resistance of this MOSFET?

A: The on-resistance is typically around 0.8 ohms at Vgs = 10V.

Q: Is 2N7002KQ-7 suitable for automotive applications?

A: It is not specifically rated for automotive applications; check for higher reliability requirements.

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