Diodes Incorporated ZXTN26020DMFTA

Name: Diodes Incorporated ZXTN26020DMFTA
Price: 0.1101 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

380mW 20V 200@2A,2V 1.5A NPN DFN-31.4x1.1 Single Bipolar Transistors ROHS

制造商产品编号:

ZXTN26020DMFTA

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C24835348

封装:DFN-3(1.4x1.1)

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属性	值
制造商产品编号	ZXTN26020DMFTA
制造商	DIODES
产品分类	Bipolar (BJT)
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Current - Collector Cutoff	100nA
Collector - Emitter Voltage VCEO	20V
Type	NPN
Current - Collector(Ic)	1.5A
Emitter-Base Voltage(Vebo)	7V
Transition frequency(fT)	260MHz
DC Current Gain	200@2A,2V
Pd - Power Dissipation	380mW
Vce Saturation(VCE(sat))	225mV
Package	DFN-3(1.4x1.1)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.03

概述

The ZXTN26020DMFTA from Diodes Incorporated is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management applications. With its low on-resistance and fast switching capabilities, it offers optimized performance for various devices. This component ensures reliability and robustness in demanding thermal environments, making it suitable for a range of electronic applications. Its compact package enhances ease of integration into modern circuits.

特征

Low On-Resistance : Features a maximum Rds(on) of just 20 mΩ for improved efficiency.

High Speed Switching : Supports fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications.

Robust Thermal Performance : Capable of handling significant thermal loads due to its enhanced thermal management.

ESD Protection : Incorporates built-in ESD protection for improved durability and longevity.

Compact Package : Designed in a compact DPAK package, facilitating space-saving designs.

应用

Power Supplies : Ideal for use in DC-DC converters and regulation circuits.

Motor Control : Suitable for applications in motor drive systems requiring efficient switching.

Telecommunications : Used in RF amplifiers and signal processing equipment for enhanced signal integrity.

Battery Management : Excellent for use in power management systems of battery-powered devices.

LED Drivers : Effective in driving high-efficiency LED lighting systems.

设计注意事项

Current Ratings : Ensure that current ratings do not exceed the maximum specified to avoid thermal failure.

Gate Drive Voltage : Calculate appropriate gate drive voltage to achieve desired switching performance.

Thermal Management : Incorporate sufficient heat dissipation methods to handle higher power applications.

PCB Layout : Design the PCB layout to minimize parasitic inductance for optimal performance.

Operating Temperature : Verify compatibility with the operating temperature range specified in the datasheet.

常见问题

Q: What happens if the gate voltage is too low?

A: If the gate voltage is insufficient, the MOSFET may not turn on fully, leading to increased heat and potential failure.

Q: Can I use this component in a linear application?

A: While it can be used, it is primarily designed for switching applications and may not deliver optimal performance in linear configurations.

Q: How do I calculate the thermal resistance?

A: Thermal resistance can be determined using the equation RθJA = (Tj Ta) / P, where Tj is the junction temperature, Ta is the ambient temperature, and P is the power dissipation.

Q: Is it suitable for automotive applications?

A: Yes, but ensure that the component meets the specific automotive grade standards for reliability.

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