产品Transistors/ThyristorsIGBT Transistors / Modules

Infineon Technologies IGB08N120S7ATMA1

Name: Infineon Technologies IGB08N120S7ATMA1
Price: 1.2783 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

87W 20A 1.2kV TO-263-3 Single IGBTs ROHS

制造商产品编号:

IGB08N120S7ATMA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C07045808

封装:TO-263-3

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属性	值
制造商产品编号	IGB08N120S7ATMA1
制造商	Infineon
产品分类	IGBT Transistors / Modules
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-40℃~+150℃
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Current - Collector(Ic)	20A
Pd - Power Dissipation	87W
Td(on)	14ns
Td(off)	149ns
Input Capacitance(Cies)	1.3nF@25V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	[email protected]
Vce Saturation(VCE(sat))	2V@8A,15V
Switching Energy(Eoff)	410uJ
Turn-On Energy (Eon)	460uJ
Gate Charge(Qg)	55nC@8A,15V
Package	TO-263-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	1000
Weight	2.01

概述

The Infineon Technologies IGB08N120S7ATMA1 is a high-performance insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for reliable operation in various power electronic applications. Featuring low on-state voltage drop and high-speed switching capabilities, it ensures efficient energy conversion. This IGBT is suitable for both industrial and consumer electronic devices, promoting robust performance under varying load conditions. Its compact package design aids in space-saving designs while enhancing thermal management.

特征

Low on-state voltage drop: Minimizes power losses during operation.

High-speed switching: Enables faster switching times, enhancing efficiency.

Excellent thermal performance: Optimized for improved thermal management in applications.

High current rating: Supports higher power demands in various applications.

Robust construction: Designed to withstand harsh conditions and ensure reliability.

应用

Motor drives: Ideal for controlling electric motors to improve efficiency.

Power inverters: Suitable for renewable energy systems, converting DC to AC power.

Welding equipment: Used in high-power applications where precise control is needed.

Power supplies: Effective for industrial power management solutions.

UPS systems: Critical in providing backup power for uninterrupted operations.

Traction drives: Applied in electric and hybrid vehicle propulsion systems.

设计注意事项

Thermal management: Adequate heat sinking and cooling techniques are essential to prevent thermal degradation.

Gate drive requirements: Proper gate drive circuits should be designed to ensure optimal switching performance.

Switching loss analysis: Evaluate the impact of switching frequencies on overall system efficiency.

Short-circuit protection: Implement protective measures against potential short-circuit conditions.

Package limitations: Consider the physical dimensions and mounting requirements for space-constrained applications.

常见问题

Q: What happens if the IGBT is overloaded?

A: Overloading can lead to thermal runaway and device failure due to excessive heat generation.

Q: Can this IGBT be used in high-frequency applications?

A: While it has excellent switching capabilities, for very high-frequency applications, alternative devices may be preferred.

Q: How do I ensure proper gate drive for the IGBT?

A: Use a dedicated gate driver IC designed to provide the appropriate voltage and current levels for fast switching.

Q: Is it susceptible to short circuits?

A: Yes, it requires protective circuitry to avoid damage from unintended short-circuit conditions.

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