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Infineon Technologies IGD08N120S7ATMA1

Name: Infineon Technologies IGD08N120S7ATMA1
Price: 1.2298 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

106W 24A 1.2kV TO-252-3 Single IGBTs ROHS

制造商产品编号:

IGD08N120S7ATMA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C09971846

封装:TO-252-3

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属性	值
制造商产品编号	IGD08N120S7ATMA1
制造商	Infineon
产品分类	IGBT Transistors / Modules
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-40℃~+150℃
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Gate Charge(Qg)	55nC@15V
Td(on)	15ns
Current - Collector(Ic)	24A
Td(off)	149ns
Pd - Power Dissipation	106W
Input Capacitance(Cies)	1.3nF@25V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	[email protected]
Vce Saturation(VCE(sat))	2V@8A,15V
Switching Energy(Eoff)	410uJ
Turn-On Energy (Eon)	460uJ
Package	TO-252-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2500
Weight	1

概述

The Infineon Technologies IGD08N120S7ATMA1 is a high-performance IGBT designed for efficient power management in various applications. With a breakdown voltage of 1200V and a current rating of 8A, this device ensures reliable operation in demanding environments. Its advanced technology enables low conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. The package is optimized for thermal performance, allowing for effective heat dissipation.

特征

High voltage capability: Rated at 1200V, suitable for demanding applications.

Low conduction losses: Enhances efficiency during current flow.

Fast switching: Reduces switching losses, improving overall performance.

Robust thermal characteristics: Allows for effective heat management.

Integrated gate protection: Safeguards against voltage spikes, ensuring reliability.

应用

Power supply circuits: Used in renewable energy systems for efficient power conversion.

Motor control: Suitable for driving applications in industrial automation.

Inverters: Ideal for solar inverter applications, maximizing energy conversion.

HVAC systems: Enhances efficiency in heating, ventilation, and air conditioning controls.

Uninterruptible power supplies: Provides reliable power switching in backup systems.

Electric vehicle drives: Supports efficient power management in electric propulsion systems.

设计注意事项

Temperature management: Ensure adequate heat sinking to maintain junction temperature within limits.

Gate drive design: Proper gate resistor values should be selected to optimize switching performance.

Parasitic inductance: Minimize loop inductance in the PCB layout to reduce EMI.

Voltage ratings: Take into account potential voltage transients to avoid device breakdown.

Application-specific testing: Validate device performance under actual operating conditions to ensure reliability.

常见问题

Q: What should I do if the IGBT fails during operation?

A: Check the gate drive, thermal management system, and ensure that voltage ratings were not exceeded.

Q: How can I minimize switching losses?

A: Optimize gate resistor values and ensure a low-inductance layout to improve switching characteristics.

Q: Can I use this IGBT in a continuous operation mode?

A: Yes, but ensure thermal limits are maintained for continuous applications.

Q: What is the maximum gate-emitter voltage allowed?

A: The maximum gate-emitter voltage is typically ±20V; exceeding this can damage the IGBT.

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