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Infineon Technologies IKW25N120CS7XKSA1

Name: Infineon Technologies IKW25N120CS7XKSA1
Price: 3.8500 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

250W 55A 1.2kV TO-247-3 Single IGBTs ROHS

制造商产品编号:

IKW25N120CS7XKSA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C47447452

封装:TO-247-3

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属性	值
制造商产品编号	IKW25N120CS7XKSA1
制造商	Infineon
产品分类	IGBT Transistors / Modules
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-40℃~+175℃@(Tj)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	1.2kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	-
Switching Energy(Eoff)	1.1mJ
IGBT Type	-
Td(off)	160ns
Pd - Power Dissipation	250W
Turn-On Energy (Eon)	1.2mJ
Reverse Recovery Time(trr)	150ns
Td(on)	21ns
Current - Collector(Ic)	55A
Gate Charge(Qg)	150nC
Package	TO-247-3
Packaging	Tube-packed
Standard Package	30
Weight	4.05

概述

The IKW25N120CS7XKSA1 from Infineon Technologies is a high-performance N-channel MOSFET designed for various power electronics applications. This device optimally balances efficiency and thermal management, making it suitable for demanding environments. It features a low on-resistance and high breakdown voltage, allowing for efficient conduction and switching performance. With its robust design, it supports enhanced reliability in space-constrained designs.

特征

Low On-Resistance : The IKW25N120CS7XKSA1 features a low on-resistance of 0.25 ohms, which reduces power loss during operation.

High Voltage Rating : This MOSFET is rated for a maximum voltage of 1200V, enabling it to handle high-voltage applications effectively.

Fast Switching : The device demonstrates fast switching capabilities, which enhances efficiency in dynamic load scenarios.

Thermal Stability : With a high thermal performance rating, it maintains stability under elevated temperature conditions.

Gate Drive Voltage : The IKW25N120CS7XKSA1 requires a gate drive voltage of 10V, allowing for straightforward integration into existing designs.

应用

Power Supply Units : Efficiently manage energy conversion in both AC-DC and DC-DC converters.

Motor Drives : Enable effective control and driving of electric motors in various configurations.

Renewable Energy Systems : Support the operation of solar inverters and wind turbine systems.

Industrial Automation : Facilitate precise control in automation systems and robotics applications.

Electric Vehicles : Enhance power management in traction and propulsion systems.

UPS Systems : Maintain reliable backup power in uninterruptible power supply configurations.

设计注意事项

Thermal Management : Ensure proper heat dissipation using adequate heatsinking or thermal interface materials to maintain operational efficiency.

Gate Drive Design : The gate drive circuit must supply the required 10V with sufficient current for reliable switching.

PCB Layout : Consider gate loop inductance in the PCB layout to reduce switching losses and improve performance.

Voltage Ratings : Ensure that operating voltages stay within the maximum 1200V rating to avoid device breakdown.

Current Handling : Design the circuit to maintain safe operating currents within the device's specified limits to prevent overheating.

常见问题

Q: What happens if I exceed the maximum gate drive voltage?

A: Exceeding the maximum gate drive voltage can lead to gate oxide breakdown and permanent damage to the MOSFET.

Q: Can this MOSFET be used in parallel with other MOSFETs?

A: Yes, but ensure that each MOSFET has matched characteristics to prevent uneven current sharing.

Q: What is the maximum operating temperature for the IKW25N120CS7XKSA1?

A: The maximum operating temperature typically reaches up to 150°C, but it is essential to monitor thermal performance.

Q: How do I calculate the power loss in this device?

A: Power loss can be calculated using the formula P = I² * R(on) during conduction plus switching losses during transitions.

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