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Infineon Technologies IGZ100N65H5XKSA1

Name: Infineon Technologies IGZ100N65H5XKSA1
Price: 5.1825 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

536W 161A 650V TO-247-4 Single IGBTs ROHS

制造商产品编号:

IGZ100N65H5XKSA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C50444810

封装:TO-247-4

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属性	值
制造商产品编号	IGZ100N65H5XKSA1
制造商	Infineon
产品分类	IGBT Transistors / Modules
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-40℃~+175℃
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	650V
Td(on)	30ns
Switching Energy(Eoff)	770uJ
Turn-On Energy (Eon)	850uJ
Pd - Power Dissipation	536W
Td(off)	421ns
Current - Collector(Ic)	161A
Input Capacitance(Cies)	6.56nF@25V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	3.2V@1mA
Gate Charge(Qg)	210nC@100A,15V
Vce Saturation(VCE(sat))	2.1V@100A,15V
Package	TO-247-4
Packaging	Tube-packed
Standard Package	30
Weight	1

概述

The Infineon Technologies IGZ100N65H5XKSA1 is a high-performance power MOSFET designed for fast-switching applications. With a voltage rating of 650V and a maximum continuous current of 100A, it provides excellent efficiency and thermal performance. This device is particularly optimized for use in power converters and motor drives, making it ideal for energy-efficient systems. Its advanced technology enables enhanced thermal stability and reliability in demanding applications.

特征

Low RDS(on) : Offers reduced conduction losses for improved efficiency.

Fast Switching Speed : Enables higher frequency operation, enhancing overall performance.

High Thermal Stability : Withstands elevated temperatures for enhanced reliability.

Low Gate Charge : Reduces drive losses, resulting in improved circuit performance.

Compatibility with Standard Drives : Easily integrates into existing designs without extensive redesign.

应用

Power Converters : Suitable for both AC-DC and DC-DC conversion applications.

Motor Drives : Efficiently drives various types of motors for automation and control.

Renewable Energy Systems : Ideal for inverters used in solar and wind power applications.

Uninterruptible Power Supplies (UPS) : Provides stable power conversions in backup systems.

Electric Vehicle Chargers : Supports fast charging solutions for electric vehicles.

Industrial Equipment : Enhances the performance of machinery through effective power supply management.

设计注意事项

Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating and failure.

Gate Drive Voltage : Must adhere to recommended levels for optimal operation and reliability.

Parasitic Inductances : Minimize loop areas in PCB layout to reduce switching losses.

Switching Frequency : Consider the limitations on frequency to avoid excessive power losses.

Protection Circuits : Implement appropriate protection to prevent overvoltage and short-circuits.

常见问题

Q: What is the maximum operating temperature for the IGZ100N65H5XKSA1?

A: The maximum junction temperature is 175°C, which should not be exceeded.

Q: Can this MOSFET handle high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for fast switching applications and has a low gate charge.

Q: Is a heatsink required when using this device?

A: While a heatsink may improve performance, proper thermal management is essential based on application requirements.

Q: What are the key parameters influencing device selection?

A: Key parameters include RDS(on), switching speed, thermal resistance, and voltage rating.

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