Infineon Technologies BSC014N04LSI

Name: Infineon Technologies BSC014N04LSI
Price: 0.7743 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 195A 1.45m@10V,50A 2.5W 2V@250uA TDSON-8-EP5.1x5.9 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

BSC014N04LSI

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C83939366

封装:TDSON-8FL

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属性	值
制造商产品编号	BSC014N04LSI
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	180pF
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	40V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2V@250uA
Pd - Power Dissipation	96W
Gate Charge(Qg)	77nC@10V
Output Capacitance(Coss)	1.68nF
Current - Continuous Drain(Id)	195A
RDS(on)	1.45mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)	5.6nF
Package	TDSON-8FL
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	5000
Weight	0.188

概述

The Infineon Technologies BSC014N04LSI is a low-loss MOSFET specifically designed for efficient power management applications. It features a compact package, making it suitable for space-constrained designs while providing exceptional thermal performance. Its integrated gate driver capabilities enhance the overall system efficiency and reliability. This component is ideal for applications that require high switching frequency and low on-state resistance.

特征

Low on-state resistance : Ensures minimal conduction losses, enhancing overall system efficiency.

High switching speed : Supports high-frequency operation, suitable for advanced power management applications.

Compact package : Designed for space-saving in PCB layouts while maintaining thermal performance.

Integrated gate driver : Simplifies designs by reducing component count while improving drive capabilities.

Robust thermal performance : Manages heat effectively, ensuring reliable operation under demanding conditions.

应用

Power supply units : Utilized in AC-DC and DC-DC converters for efficient power management.

Electric vehicles : Applied in battery management systems and motor control for optimized energy usage.

Renewable energy systems : Essential in solar inverters for maximum energy conversion efficiency.

Industrial automation : Found in drive systems, providing reliability in automated processes.

Consumer electronics : Used in high-performance electronic devices for power efficiency.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate cooling solutions to maintain operational efficiency under high load conditions.

Gate drive design : Proper gate resistance can optimize switching performance and minimize EMI.

Parasitic inductance : Keep lead lengths short in PCB layout to reduce ringing and enhance reliability.

Power ratings : Verify maximum ratings for voltage and current to prevent device stress during peak operations.

Switching frequency : Choose appropriate operational frequencies to balance efficiency and thermal performance.

常见问题

Q: What is the maximum gate-to-source voltage for the BSC014N04LSI?

A: The maximum gate-to-source voltage is ±20V.

Q: Can this MOSFET be used in high-temperature environments?

A: Yes, it is designed to operate in high-temperature conditions but should be monitored for thermal effects.

Q: What is the typical R_DS(on) value of this device?

A: The typical R_DS(on) value is around 4 mΩ, ensuring low conduction losses.

Q: Is there a built-in protection feature?

A: No, the BSC014N04LSI does not have built-in protection; external components are recommended for safeguarding.

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