Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7

Name: Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7
Price: 0.2074 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 10.5A [email protected] 0.66W 1.1V@250uA 1 N-Channel DFN2020-6E MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN2013UFDE-7

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C17028953

封装:DFN2020-6E

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属性	值
制造商产品编号	DMN2013UFDE-7
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.1V@250uA
Power Dissipation (Pd)	0.66W
Continuous Drain Current (Id)	10.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	11mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	257pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	2453pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	14.3nC
Package	DFN2020-6E
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.039

概述

The Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7 is an N-channel MOSFET that offers high efficiency and excellent performance for switching applications. It boasts a low on-resistance and a fast switching speed, making it suitable for power management circuits. This component is designed to provide reliable operation in various electronic devices. Its compact package makes it ideal for space-constrained designs.

特征

Low On-Resistance: Provides efficient operation with minimal power loss.

Fast Switching Speed: Enhances performance in high-frequency applications.

High Temperature Rating: Ensures reliability in demanding environments.

Compact Package: Fits well in space-limited designs, simplifying integration.

RoHS Compliant: Meets environmental regulations for safe use.

应用

Power Supply Circuits: Used in DC-DC converters and power management systems.

Motor Control: Applied in driving motors for various devices.

LED Drivers: Utilized in driving LED lighting systems efficiently.

Battery Management: Helps in managing battery charging and discharging processes.

Telecommunications: Supports switching in communication devices.

Consumer Electronics: Found in various electronic gadgets for efficient power usage.

设计注意事项

Thermal Management: Ensure adequate heat dissipation to prevent thermal runaway.

Gate Drive Voltage: Use the recommended gate voltage for optimal performance.

Switching Frequency: Select appropriate switching frequency to achieve balance between efficiency and performance.

Load Current Ratings: Adhere to maximum load specifications to avoid damage.

PCB Layout: Design PCB traces to handle high current and minimize inductance.

常见问题

Q: What is the maximum gate-source voltage for this MOSFET?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V.

Q: Can this MOSFET be used for PWM applications?

A: Yes, it is suitable for PWM applications given its fast switching capabilities.

Q: What is the typical Rds(on) value for the DMN2013UFDE-7?

A: The typical Rds(on) is around 14 mΩ at a gate-source voltage of 10V.

Q: Is this component suitable for high-temperature environments?

A: Yes, it is rated for operation up to 150°C, making it suitable for high-temperature applications.

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