Diodes Incorporated DMN2019UTS-13

Name: Diodes Incorporated DMN2019UTS-13
Price: 0.0829 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 5.4A 0.78W 18.5m@10V,5.4A 950mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN2019UTS-13

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C32404713

封装:TSSOP-8

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属性	值
制造商产品编号	DMN2019UTS-13
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Type	2 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	950mV@250uA
Power Dissipation (Pd)	0.78W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	[email protected]
Continuous Drain Current (Id)	5.4A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	29pF@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)	143pF@10V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	18.5mΩ@10V,5.4A
Package	TSSOP-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2500
Weight	0.203

概述

The DMN2019UTS-13 from Diodes Incorporated is a compact N-channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for energy-sensitive circuits. The device operates within a broad range of temperatures, ensuring reliability in diverse environments. Its compact package size enhances design flexibility, allowing integration into space-constrained systems.

特征

Low on-resistance : Offers minimal power loss during operation, improving overall efficiency.

Fast switching speed : Facilitates high-frequency operation, beneficial for dynamic applications.

Wide operating temperature range : Ensures reliability under extreme conditions, supporting diverse applications.

Compact package : Allows for easy integration into limited spaces in circuit designs.

ESD protection : Provides enhanced reliability by safeguarding against electrostatic discharge events.

应用

Power management : Utilized in DC-DC converters for efficient voltage regulation.

Motor control : Employed in driving circuits for brushless DC motors, enhancing control and efficiency.

Lighting systems : Used in LED drivers for effective power delivery and control.

Battery management : Essential in battery charging circuits to optimize performance and lifespan.

Telecommunications : Integrated into RF amplifiers for improved signal processing.

Consumer electronics : Found in power supplies and portable devices to enhance energy performance.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat dissipation is vital, as the device may require heatsinking in high-drain applications.

Gate drive voltage : Ensure the gate voltage levels are within the MOSFET's specifications for optimal switching performance.

Switching frequency : Consider the impact of frequency on losses; higher frequencies can lead to increased heat.

Load conditions : Assess the maximum load current to prevent overheating and ensure device longevity.

PCB layout : Optimize traces for minimal inductance and resistance to enhance performance and reliability.

常见问题

Q: What is the maximum current rating for the DMN2019UTS-13?

A: The maximum continuous drain current is typically rated at 30A based on the thermal limits.

Q: Is this MOSFET suitable for high-frequency applications?

A: Yes, the DMN2019UTS-13 is designed for fast switching, making it well-suited for high-frequency operations.

Q: Can this device handle high temperatures?

A: The device operates within a wide temperature range, up to 150°C, ensuring reliability in harsh environments.

Q: Does the DMN2019UTS-13 provide ESD protection?

A: Yes, it includes ESD protection, enhancing its robustness against static discharge events.

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