Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B

Name: Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B
Price: 0.3363 USD
Availability: InStock
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30V 910mA [email protected] 690mW 950mV@250uA 1 N-Channel X2-DFN1006-3 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN3730UFB4-7B

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C09123021

封装:X2-DFN1006-3

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属性	值
制造商产品编号	DMN3730UFB4-7B
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	4.5pF
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	30V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	950mV@250uA
Pd - Power Dissipation	690mW
Output Capacitance(Coss)	6.1pF
Input Capacitance(Ciss)	64.3pF
Gate Charge(Qg)	[email protected]
Current - Continuous Drain(Id)	910mA
RDS(on)	730mΩ@1.8V
Package	X2-DFN1006-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	10000
Weight	0.025

概述

The DMN3730UFB4-7B is a N-channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. It offers low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for demanding environments. This device is housed in a compact form factor, facilitating integration into space-constrained designs. Overall, it enhances performance while minimizing energy loss.

特征

High Speed Switching: Provides fast turn-on and turn-off times for improved efficiency.

Low On-Resistance: Ensures minimal power loss during operation, enhancing thermal performance.

Small Footprint: Its compact package allows for efficient PCB layout and design.

Enhanced Thermal Performance: Capable of handling higher temperatures without degradation.

Reliable Electrical Characteristics: Consistent operation across a wide range of conditions.

应用

Power Management: Used in battery management systems for efficient energy use.

DC-DC Converters: Ideal for switching applications that require low loss.

Motor Control: Suitable for precise control in various electrical motors.

Lighting Control: Employed in LED drivers for efficient luminance control.

Audio Amplifiers: Enhances performance by managing power delivery efficiently.

Industrial Automation: Supports various processes requiring reliable switching.

设计注意事项

Thermal Management: Adequate heat sinking is necessary to maintain optimal operating temperatures.

Gate Drive Voltage: Ensure proper voltage levels to switch the device on and off efficiently.

Switching Frequency: Consider the frequency of operation to minimize switching losses.

PCB Layout: Design traces to handle the required current without excessive resistance.

Parasitic Inductance: Minimize inductance in leads to improve switching performance.

常见问题

Q: What is the maximum gate-source voltage?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V for the DMN3730UFB4-7B.

Q: Can the MOSFET be used in high-temperature applications?

A: Yes, it features enhanced thermal performance suitable for higher temperatures.

Q: What is the R_DS(on) value?

A: The R_DS(on) is approximately 6.5 mΩ at a V_GS of 10V.

Q: How do I properly select the packaging?

A: Consider space constraints and thermal requirements when selecting the package type.

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