Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B

Name: Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B
Price: 0.0833 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

60V 410mA [email protected],0.35A 0.47W 2.3V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN62D1SFB-7B

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C17166596

封装:X1-DFN1006-3

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属性	值
制造商产品编号	DMN62D1SFB-7B
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	5.6pF@40V
Drain to Source Voltage	60V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
RDS(on)	1.4Ω@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.6V@250uA
Current - Continuous Drain(Id)	410mA
Pd - Power Dissipation	470mW
Input Capacitance(Ciss)	80pF@40V
Gate Charge(Qg)	1.39nC@10V
Package	X1-DFN1006-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	10000
Weight	0.032

概述

The DMN62D1SFB-7B from Diodes Incorporated is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for a variety of applications. This device ensures optimal thermal performance and reliability in demanding environments. With its compact design, it allows for space-saving implementations in multiple configurations.

特征

On-resistance : The low on-resistance optimizes power loss and enhances efficiency.

Fast switching speed : Designed for rapid operation, suitable for high-frequency applications.

Compact package : The small footprint facilitates integration into space-constrained designs.

High drain-source voltage : Supports a significant voltage range for diverse applications.

Thermal performance : Engineered for excellent heat dissipation, increasing reliability.

应用

Power management : Utilized in DC-DC converters for efficient voltage regulation.

Motor control : Ideal for driving various types of motors in electronic gadgets and appliances.

LED lighting : Employed in LED drivers to improve energy efficiency and performance.

Battery management : Used in battery protection circuits to enhance lifespan and safety.

Switching power supplies : Suitable for high-efficiency power supply designs.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heat sinking to prevent thermal overload in high-current applications.

Gate drive voltage : Proper gate voltage is crucial for achieving low on-resistance and maximizing performance.

Switching frequency : Consider switching frequency to prevent excessive heat buildup affecting reliability.

Layout optimization : Minimize parasitic inductances and capacitances in PCB layout to enhance performance.

Current rating : Select based on the maximum expected load to avoid device degradation.

常见问题

Q: What is the maximum voltage this MOSFET can handle?

A: The DMN62D1SFB-7B can handle a maximum drain-source voltage of 60V.

Q: Can this MOSFET be used for high-frequency applications?

A: Yes, it features fast switching capabilities suitable for high-frequency use.

Q: What is the typical on-resistance of this device?

A: The typical on-resistance is very low, around 0.025 ohms at a gate-source voltage of 10V.

Q: Is a heat sink necessary for this MOSFET?

A: Depending on the application and load, a heat sink may be required to maintain optimal operating temperatures.

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