Diodes Incorporated DMN26D0UT-7

Name: Diodes Incorporated DMN26D0UT-7
Price: 0.0438 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 230mA 300mW [email protected],20mA 1V@250uA 1 N-Channel SOT-523 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN26D0UT-7

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C18218698

封装:SOT-523

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属性	值
制造商产品编号	DMN26D0UT-7
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	300mW
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Continuous Drain Current (Id)	230mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	2.9Ω@1.8V,20mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	1.6pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	14.1pF@15V
Pd - Power Dissipation	300mW
Drain to Source Voltage	20V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	230mA
RDS(on)	15Ω@1.2V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3V@100mA
Input Capacitance(Ciss)	14.1pF@15V
Package	SOT-523
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.027

概述

The DMN26D0UT-7 is a N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It offers a low on-resistance and fast switching capability, making it suitable for power management tasks. This device is robust, ensuring reliable performance in various operating conditions. Its compact SOT-23 package facilitates easy integration into space-constrained designs.

特征

Low on-resistance : Ensures minimal power loss and heat generation during operation

Fast switching speed : Enhances efficiency in dynamic applications

High voltage rating : Suitable for a wide range of power supply scenarios

Compact surface-mount package : Saves board space and allows for flexible designs

RoHS compliant : Meets environmental standards for safe disposal and use

应用

Power regulation : Used in DC-DC converters for efficient voltage management

Battery management : Ideal for applications requiring effective charge and discharge control

Motor control : Implements precise control in electric motor drives

Load switching : Provides reliable switching for various load applications

Lighting control : Suitable for efficient LED driver circuits

Audio amplifiers : Helps in optimizing power management in audio systems

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat sinking is necessary to prevent overheating during high load

Gate drive voltage : Ensure appropriate gate voltage for optimal switching performance

Switching frequency : Optimize the circuit for the application's required frequency to reduce losses

Layout design : Use short traces and proper grounding to minimize inductance and improve performance

Protection features : Include protection diodes to prevent damage from voltage spikes

常见问题

Q: What is the maximum voltage the DMN26D0UT-7 can handle?

A: The device is rated for a maximum drain-source voltage of 60V.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for fast switching and can be effectively used in high-frequency circuits.

Q: What is the required gate voltage for turning this MOSFET on?

A: A typical gate-source voltage of around 10V is recommended for full saturation.

Q: How does this MOSFET perform under thermal stress?

A: It provides reliable performance, but adequate thermal management must be ensured to prevent overheating.

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