Diodes Incorporated DMG9926USD-13

Name: Diodes Incorporated DMG9926USD-13
Price: 0.2128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 8A 1.3W [email protected],4.8A 900mV@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMG9926USD-13

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C19528389

封装:SO-8

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属性	值
制造商产品编号	DMG9926USD-13
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Type	-
Type	2 N-Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	81pF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	900mV@250uA
Drain to Source Voltage	20V
Pd - Power Dissipation	1.3W
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)	85pF
Number	2 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	8A
Input Capacitance(Ciss)	867pF
Gate Charge(Qg)	[email protected]
RDS(on)	37mΩ@1.8V,4.8A
Package	SO-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2500
Weight	0.388

概述

The DMG9926USD-13 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency applications. It features low on-resistance, enabling improved performance in power management circuits. Its compact package lends itself to space-constrained designs, making it suitable for a variety of electronic systems. Overall, this device offers reliable switching, low power consumption, and ease of integration.

特征

Low R_DS(on) : The device boasts a low on-resistance of 0.0053Ω, ensuring minimal power loss during operation.

High-speed switching : Capable of fast switching speeds, ideal for efficient power conversion.

Compact package : Offered in a small SOT-23 package, suitable for board space-limited applications.

Enhanced thermal performance : Designed to maintain stable operation under high-temperature conditions.

Voltage rating : Operates effectively with a maximum V_DS of 20V, accommodating various electronic circuits.

应用

Power management : Used in DC-DC converters for efficient power regulation.

Consumer electronics : Integral components in various portable devices and chargers.

LED drivers : Supports driving capabilities in LED lighting solutions.

Automotive applications : Useful for load switching and motor control systems.

Communication devices : Employed in RF signal processing to enhance performance.

设计注意事项

Gate drive voltage : Ensure the gate drive voltage is within the specified range for optimal performance.

Thermal management : Adequate heat dissipation strategies should be incorporated to prevent overheating during operation.

Switching frequency : Consider the maximum switching frequency for the application to avoid performance degradation.

Layout design : PCB layout is crucial; minimize loop areas and use appropriate trace widths to handle current.

Component pairing : Select compatible components to maximize overall efficiency and effectiveness in circuits.

常见问题

Q: What is the maximum operating temperature for the DMG9926USD-13?

A: The maximum junction temperature is 150°C.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is capable of high-speed switching suitable for such applications.

Q: What is the package type for the DMG9926USD-13?

A: It comes in a SOT-23 package.

Q: What is the recommended gate resistance value?

A: A gate resistance of a few ohms is generally recommended to control the switching speed.

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