Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

Name: Diodes Incorporated DMN2016UTS-13
Price: 0.1453 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 8.58A [email protected],9.4A 0.88W 400mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN2016UTS-13

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C60914266

封装:TSSOP-8

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属性	值
制造商产品编号	DMN2016UTS-13
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Type	2 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	400mV@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	152pF
Type	N-channel
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	11mΩ@4.5V,9.4A
Power Dissipation (Pd)	0.88W
Input Capacitance (Ciss@Vds)	1.495nF@10V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	[email protected]
Drain to Source Voltage	20V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1V@250uA
Number	2 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	8.58A
RDS(on)	16.5mΩ@4.5V
Pd - Power Dissipation	880mW
Output Capacitance(Coss)	161pF
Input Capacitance(Ciss)	1.495nF
Gate Charge(Qg)	[email protected]
Package	TSSOP-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2500
Weight	0.192

概述

The DMN2016UTS-13 is an N-channel MOSFET designed for efficient power management applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for various electronic devices. This device offers excellent thermal performance and reliability, contributing to overall system stability. Its compact size and strong operational capabilities support a wide range of functionalities.

特征

Low on-resistance : Ensures minimal power loss and heat generation during operation.

Fast switching speed : Allows for rapid response, improving overall system performance.

High current capability : Supports robust applications with significant power demands.

Wide voltage range : Operates efficiently across a variety of voltage levels.

Compact package size : Facilitates space-saving designs in electronic applications.

应用

Power supply units : Utilized in converting and regulating electricity effectively.

Motor control circuits : Enhances performance and efficiency of drive systems.

Battery management systems : Manages charging and discharging efficiently.

LED lighting : Facilitates optimal operation and dimming functions.

Consumer electronics : Improves power management in various devices.

Automotive applications : Supports reliable performance in vehicle electronic systems.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat sinks may be necessary to maintain optimal operating temperatures.

Gate drive voltage : Must be carefully controlled to ensure proper MOSFET switching.

Layout design : Good PCB layout practices are essential to minimize parasitic inductance and capacitance.

Parasitic effects : Awareness of parasitic components can prevent unwanted oscillations in the circuit.

Load conditions : Ensure compatible electrical loads to avoid exceeding the device’s ratings.

常见问题

Q: What is the maximum voltage rating for the DMN2016UTS-13?

A: The maximum voltage rating is 60V, ensuring safe operational limits for many applications.

Q: Can this MOSFET handle high-frequency applications?

A: Yes, it is designed to handle high-frequency switching applications effectively.

Q: What kind of thermal management is recommended?

A: Using heat sinks or proper PCB layout to enhance air circulation is advised for effective thermal management.

Q: Is this component suitable for automotive applications?

A: Yes, it is suitable and widely used in various automotive electronic systems.

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