Diodes Incorporated DMN6140L-13

Name: Diodes Incorporated DMN6140L-13
Price: 0.1038 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

60V 2.3A 140m@10V,1.8A 700mW 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

DMN6140L-13

制造商:

DIODES

Chipmall产品编号:C68745476

封装:SOT-23

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属性	值
制造商产品编号	DMN6140L-13
制造商	DIODES
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Power Dissipation (Pd)	700mW
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3V@250uA
Continuous Drain Current (Id)	2.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	140mΩ@10V,1.8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	16pF@40V
Input Capacitance (Ciss@Vds)	315pF@40V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	8.6nC
Drain to Source Voltage	60V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	700mW
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3V@250uA
Current - Continuous Drain(Id)	2.3A
Input Capacitance(Ciss)	315pF
RDS(on)	170mΩ@4.5V
Gate Charge(Qg)	8.6nC@10V
Package	SOT-23
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	10000
Weight	0.028

概述

The DMN6140L-13 is an N-channel MOSFET designed to offer efficient switching with low on-resistance and fast response times. It features a compact surface-mount package that enables easy integration into various electronic circuits. This device is optimized for applications requiring high efficiency and reliable performance under varying loads. Its robust construction ensures durability in demanding environments.

特征

Low On-Resistance: Enhances efficiency by minimizing power loss during operation.

Fast Switching Speed: Facilitates high-frequency switching applications for better performance.

Compact Size: Allows for space-saving designs in circuit layouts.

High Voltage Rating: Supports applications that require operation at elevated voltages.

Logic Level Threshold: Compatible with low-voltage gate drive circuits for versatile use.

应用

Power supplies: Utilized in DC-DC converters for efficient power management.

Motor drivers: Used for driving motors in consumer electronics and robotics.

LED lighting: Employed in LED drivers for enhanced light output control.

Signal switching: Acts as a switch in various signal processing circuits.

Battery management: Supports battery charging and protection circuits.

RF amplifiers: Applied in radio frequency amplifiers for signal amplification.

设计注意事项

Maximum Ratings: Ensure voltage and current are within specified limits to prevent breakdown.

Thermal Management: Adequate heat sinking is needed in high-power applications to dissipate heat.

Gate Drive Voltage: Use appropriate gate voltage to achieve optimal on-state performance.

Switching Losses: Analyze switching characteristics to minimize losses in high-speed applications.

Circuit Layout: Proper PCB design is crucial to prevent undesired inductance and resistance.

常见问题

Q: What is the maximum current rating for the DMN6140L-13?

A: The maximum current rating is typically specified in the datasheet and can vary depending on the thermal conditions.

Q: How do I calculate the heat dissipation for this MOSFET?

A: Heat dissipation can be determined using the power loss estimates from on-resistance and switching losses under your specific load.

Q: Can the DMN6140L-13 be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-speed switching, making it suitable for high-frequency applications.

Q: What happens if I exceed the maximum gate voltage?

A: Exceeding the maximum gate voltage could lead to device failure or reduced reliability.

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