Infineon Technologies IRFH7440TRPBF

Name: Infineon Technologies IRFH7440TRPBF
Price: 0.2063 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 159A 104W 1.8m@10V,50A 2.2V@100uA 1 N-Channel PQFN5x6 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFH7440TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C00789296

封装:PQFN(5x6)

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属性	值
制造商产品编号	IRFH7440TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	104W
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	40V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	1.8mΩ@10V,50A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.2V@100uA
Continuous Drain Current (Id)	159A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	466pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	4574pF@0V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	138nC@
Package	PQFN(5x6)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	4000
Weight	0.201

概述

The Infineon Technologies IRFH7440TRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for a wide range of uses in power supplies and motor controls. With a compact package and robust thermal performance, it ensures reliability under demanding conditions. The device is optimized for both automotive and industrial applications, focusing on energy efficiency.

特征

Low on-resistance : Delivers superior conduction efficiency, minimizing power loss.

Fast switching speed : Enhances switching performance, reducing overall system energy consumption.

High current rating : Capable of handling significant load currents without thermal issues.

Robust package design : Provides excellent thermal dissipation and mechanical stability.

Gate voltage compatibility : Supports a range of gate drive voltages for flexibility in design.

应用

Power supplies : Ideal for DC-DC converters and switch-mode power supplies.

Motor drives : Suitable for various electric motor control applications.

Automotive electronics : Used in power distribution and battery management systems.

Renewable energy systems : Efficiently manages power in solar inverters and energy storage.

Industrial automation : Provides reliable power control in robotics and machinery.

Telecommunications : Supports efficient power management in communication equipment.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat sinking is essential to maintain performance and reliability.

Gate drive requirements : Ensure proper drive voltage to achieve optimal switching characteristics.

Layout optimization : PCB layout should minimize parasitic inductance for stable operation.

Current handling : Evaluate the maximum current requirements to avoid thermal runaway.

Voltage ratings : Adhere to specified voltage limits to prevent breakdown and device failure.

常见问题

Q: What should I do if the MOSFET overheats during operation?

A: Ensure proper heat sinking and verify that the device is operated within its specified current and voltage limits.

Q: Can I use the IRFH7440TRPBF in a PWM application?

A: Yes, it is suitable for PWM applications, given its fast switching capabilities and low on-resistance.

Q: What is the maximum gate-source voltage for this MOSFET?

A: The maximum gate-source voltage is typically 20V; exceeding this can damage the MOSFET.

Q: How do I determine if this MOSFET is suitable for my design?

A: Analyze your application requirements, including voltage, current, and switching frequency, and compare them with the device's specifications.

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