Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1

Name: Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1
Price: 4.6541 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

100V 2.6m@100A,10V 3.8V@169uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IPP026N10NF2SAKMA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C20097243

封装:TO-220

规格书:

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属性	值
制造商产品编号	IPP026N10NF2SAKMA1
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	100V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	154nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3.8V@169uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	7.3nF@50V
Continuous Drain Current (Id)	27A;184A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	2.6mΩ@100A,10V
Power Dissipation (Pd)	3.8W;250W
Package	TO-220
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.96

概述

The Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1 is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. It features a low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it ideal for energy-efficient designs. This MOSFET is packaged in a compact format that saves space while providing robust thermal performance. The device is well-suited for applications requiring reliable and efficient power conversion.

特征

Low on-state resistance: Ensures minimal power loss and heat generation.

High-speed switching: Enables efficient operation in fast switching circuits.

Robust thermal performance: Capable of handling high current loads without overheating.

Compact package: Saves space in circuit design while maintaining performance.

Enhanced gate charge: Provides improved efficiency in drive circuitry.

应用

Power supplies: Used for DC-DC converters and other power supply designs.

Motor control: Ideal for driving electric motors in various applications.

LED lighting: Enables efficient drive for high-brightness LED systems.

Automotive electronics: Utilized in various automotive applications, including powertrain and lighting.

Renewable energy systems: Suitable for inverters in solar and wind power applications.

Consumer electronics: Applied in devices requiring efficient power management.

设计注意事项

Thermal management: Adequate heat dissipation methods should be implemented to prevent overheating.

Gate drive voltage: Ensure compatibility with the required gate voltage levels for optimal switching performance.

Parasitic inductance: Minimize loop inductance in PCB layout to enhance switching efficiency and reduce EMI.

Current rating: Consider the maximum load current and ensure the MOSFET operates within safe limits.

Switching frequency: Select appropriate driving circuits to match the desired switching frequency without introducing delays.

常见问题

Q: What should I do if the MOSFET overheats?

A: Ensure proper thermal management, including heatsinks and airflow, and verify the load conditions are within specifications.

Q: How can I determine the appropriate gate drive voltage?

A: Refer to the datasheet for the specified gate threshold voltage and ensure that your driving signal maintains this level for reliable operation.

Q: Is this MOSFET suitable for high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-speed switching, making it effective for high-frequency use cases.

Q: What is the maximum current rating for this device?

A: The maximum continuous current rating is specified in the datasheet and should not be exceeded to avoid damage.

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