Infineon Technologies IPD90N04S4L-04

Name: Infineon Technologies IPD90N04S4L-04
Price: 1.0178 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 90A 3.8m@10V,90A 71W 2.2V@35uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IPD90N04S4L-04

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C47247638

封装:TO-252-3

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属性	值
制造商产品编号	IPD90N04S4L-04
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	69pF@25V
Gate Charge(Qg)	-
Drain to Source Voltage	40V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.2V
Current - Continuous Drain(Id)	90A
RDS(on)	3.8mΩ@10V,90A
Pd - Power Dissipation	71W
Input Capacitance(Ciss)	4.69nF@25V
Package	TO-252-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2500
Weight	0.489

概述

The Infineon Technologies IPD90N04S4L-04 is a powerful N-channel MOSFET designed for efficient energy management in various applications. Its advanced technology ensures minimal power loss while delivering high performance. This device offers a robust solution with excellent thermal characteristics, suitable for high-frequency switching demands. Compact and reliable, it enhances efficiency and reliability in diverse circuit designs.

特征

Low RDS(on) : Offers low on-resistance for reduced power losses.

High-speed switching : Enables efficient operation in fast switching applications.

Wide voltage range : Supports different voltage levels for versatile use.

Excellent thermal stability : Maintains performance even at elevated temperatures.

Compact package : Designed for space-constrained applications.

应用

Power supplies : Used in efficient AC-DC and DC-DC converters.

Motor control : Ideal for managing power in motor drive systems.

LED drivers : Enhances performance in lighting control applications.

Battery management : Ensures effective charging and discharging processes.

Renewable energy systems : Supports efficiency in solar inverters and wind turbine controls.

Telecommunications : Aids in managing power in communication equipment.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating during operation.

Gate driving requirements : Use appropriate gate voltages for optimal switching performance.

PCB layout : Design for short traces to minimize parasitic inductances.

Voltage ratings : Keep operating voltages within specified limits to avoid breakdown.

Frequency limitations : Be mindful of the device’s frequency response in high-speed applications.

常见问题

Q: What happens if the MOSFET is operated at higher than specified voltages?

A: Operating beyond specified voltages can lead to device failure or permanent damage.

Q: How do I manage heat dissipation for this MOSFET?

A: Use heatsinks or thermal management solutions for effective heat dissipation.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-speed switching, but care should be taken with gate drive design.

Q: What is the ideal gate voltage for best performance?

A: The ideal gate voltage varies, but typically around 10V for maximum performance is recommended.

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