Infineon Technologies IRFB7446PBF

Name: Infineon Technologies IRFB7446PBF
Price: 0.7247 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 123A 2.6m@10V,70A 99W 2.2V@100uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFB7446PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C03582233

封装:TO-220AB

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属性	值
制造商产品编号	IRFB7446PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Type	1 N-channel
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	93nC@10V
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	40V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Charge(Qg)	93nC@10V
RDS(on)	3.3mΩ@10V
Current - Continuous Drain(Id)	123A
Pd - Power Dissipation	99W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3.9V@100uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	331pF
Output Capacitance(Coss)	475pF
Input Capacitance(Ciss)	3.183nF
Package	TO-220AB
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.862

概述

The Infineon Technologies IRFB7446PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management applications. It features low on-resistance and high-speed switching, making it suitable for demanding environments. With its robust construction, it enhances reliability in various electronic circuits. This MOSFET can handle significant current and voltage, providing flexibility for a range of applications.

特征

Ultra-Low RDS(on) : The IRFB7446PBF boasts an ultra-low on-resistance of just 3.6 mΩ, reducing conduction losses.

High Voltage Rating : It is rated for a maximum drain-source voltage of 100V, making it suitable for high voltage applications.

Fast Switching Speed : This MOSFET ensures rapid switching performance, enhancing overall efficiency in circuits.

Thermal Performance : It exhibits superior thermal stability with a maximum junction temperature of 175°C.

Surface-Mount Package : The device comes in a TO-220 package, facilitating easy heat dissipation and assembly.

应用

Power Conversion : Ideal for use in DC-DC converters and power supplies.

Motor Control : Suitable for driving applications such as brushed and brushless DC motors.

LED Drivers : Can be used in high-efficiency lighting applications for current regulation.

Telecom Equipment : Effective in power amplification and signal processing circuits.

Automotive Applications : Compatible with electric vehicle drive circuits and battery management systems.

Renewable Energy : Useful in solar inverters and energy storage systems.

设计注意事项

Heat Dissipation : Ensure adequate thermal management using heatsinks or thermal pads to maintain optimal performance.

Gate Drive Voltage : The gate-source voltage should be managed to avoid excessive voltage that could lead to failure.

Switching Frequency : Assess switching frequency to prevent overheating and inefficiencies during operation.

Parasitic Inductance : Minimize induction from layout to reduce switching losses and improve reliability.

Load Conditions : Ensure load current stays within specified limits to avoid damage and ensure longevity.

常见问题

Q: What is the maximum drain current for the IRFB7446PBF?

A: The maximum continuous drain current is 75A at 25°C, but it may vary based on thermal conditions.

Q: How do I choose the appropriate gate voltage?

A: A gate-source voltage of 10V is recommended for optimal RDS(on) performance.

Q: Can this MOSFET be used for high-frequency applications?

A: Yes, but it's essential to consider the switching losses and ensure proper layout to minimize parasitic elements.

Q: What happens if the MOSFET exceeds its maximum junction temperature?

A: Exceeding the maximum junction temperature can lead to device failure, reduced efficiency, and potential circuit damage.

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