Infineon Technologies BSS126IXTSA1

Name: Infineon Technologies BSS126IXTSA1
Price: 0.1440 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

600V 0.017A 500mW 280m@10V,16mA 1.6V@8uA 1 N-Channel SOT-23-3-5 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

BSS126IXTSA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C04032195

封装:SOT-23-3-5

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属性	值
制造商产品编号	BSS126IXTSA1
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Configuration	-
Type	N-channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	1pF
Pd - Power Dissipation	500mW
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Drain to Source Voltage	600V
Input Capacitance(Ciss)	21pF
Current - Continuous Drain(Id)	21mA
RDS(on)	280Ω@10V,16mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.6V@8uA
Output Capacitance(Coss)	2.4pF
Gate Charge(Qg)	1.4nC@3V
Package	SOT-23-3-5
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.4

概述

The Infineon Technologies BSS126IXTSA1 is a compact N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. With robust electrical characteristics, it supports high-speed and low-power operation. Its optimization for thermal performance makes it suitable for various electronic applications. The device is particularly favored for its ease of integration into diverse circuit designs.

特征

High drain-source voltage (VDS) : Capable of handling 60V, enabling versatility in applications.

Low on-state resistance (RDS(on)) : Offers minimal energy loss, improving overall efficiency.

Fast switching speed : Enhances performance in high-frequency applications with quick response times.

Compact footprint : Facilitates space-saving designs, making it suitable for tight layouts.

Integrated ESD protection : Provides reliability against electrostatic discharge damage.

应用

Power management : Used in DC-DC converters and voltage regulation modules for efficient power conversion.

Motor control : Drives applications such as brushless motors, providing smooth operation and precise speed control.

LED lighting : Manages power in LED drivers and controllers, ensuring consistent brightness and performance.

Battery management systems : Optimizes charging and discharging cycles for improved battery life and efficiency.

Solid-state relays : Acts as a switch in solid-state relay applications, ensuring reliable operation.

Audio amplifiers : Enhances audio circuits by enabling efficient switching with minimal distortion.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat dissipation should be ensured to maintain performance and prevent thermal failure.

Gate drive voltage : Proper gate voltage levels are critical for minimizing losses and achieving fast switching.

Layout design : PCB layout should promote low inductance paths to optimize performance and reliability.

Component ratings : Ensure all components in the design are rated appropriately to handle expected currents and voltages.

ESD precautions : Implement ESD protective measures to safeguard the MOSFET during handling and installation.

常见问题

Q: What is the maximum temperature rating for the BSS126IXTSA1?

A: The maximum junction temperature is typically around 150°C, which should not be exceeded during operation.

Q: Can the BSS126IXTSA1 handle inductive loads?

A: Yes, but proper flyback diodes should be used to protect against voltage spikes.

Q: What is the recommended gate voltage for optimal performance?

A: A gate voltage of 10V is typically recommended for achieving low on-resistance.

Q: How do I calculate the power dissipation for the BSS126IXTSA1?

A: Power dissipation can be calculated as P = I² * RDS(on), where I is the current flowing through the device.

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