Infineon Technologies IRF2804PBF

Name: Infineon Technologies IRF2804PBF
Price: 1.6666 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 75A 300W 2m@10V,75A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF2804PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C16094317

封装:TO-220AB

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属性	值
制造商产品编号	IRF2804PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	300W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4V@250uA
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	40V
Continuous Drain Current (Id)	75A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	2mΩ@10V,75A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	840pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	6450pF@0V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	240nC@
Drain to Source Voltage	40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@250uA
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	300W
RDS(on)	2.3mΩ@10V
Current - Continuous Drain(Id)	270A
Input Capacitance(Ciss)	6.45nF
Gate Charge(Qg)	240nC
Package	TO-220AB
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.75

概述

The Infineon Technologies IRF2804PBF is a N-channel MOSFET designed for high efficiency and robust performance in power management applications. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for various electronic devices. This component helps in minimizing energy loss and improving thermal management. Its compact size allows easy integration into various circuits.

特征

Low On-Resistance : Ensures minimal power loss during operation, enhancing energy efficiency.

Fast Switching Speed : Facilitates rapid changes in current flow, improving overall response times.

High Voltage Rating : Supports applications requiring high voltage, ensuring reliability and safety.

High Current Capability : Handles significant power loads, ideal for demanding applications.

RoHS Compliant : Meets environmental regulations, contributing to sustainable electronics design.

应用

Power Supplies : Used in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.

Electric Vehicles : Integral to power management systems in electric and hybrid vehicle applications.

Renewable Energy : Useful in solar inverters for optimized energy harnessing.

Motor Drives : Acts as a controller in electric motor drive systems for enhanced performance.

Consumer Electronics : Featured in power management circuits within personal electronic devices.

Industrial Automation : Applied in control systems for automation equipment for efficient operation.

设计注意事项

Heat Dissipation : Ensure adequate thermal management, as high currents can lead to significant heat generation.

Gate Drive Voltage : Proper gate drive voltage must be maintained for optimal switching performance.

Switching Frequency : Consider the application switching frequency to optimize performance and minimize losses.

Parasitic Inductance : Keep circuit layout in mind to reduce inductance and improve switching behavior.

Load Conditions : Analyze load characteristics to ensure the MOSFET operates within safe limits to prevent damage.

常见问题

Q: What is the maximum switching frequency for the IRF2804PBF?

A: The maximum switching frequency generally depends on the specific application and thermal management, typically in the range of several hundred kHz.

Q: How can I ensure proper heat dissipation for this MOSFET?

A: Use heat sinks or active cooling techniques to manage heat effectively, particularly under high load conditions.

Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?

A: Yes, it can be used in parallel configurations, but ensure balanced gate drive to maintain performance and reliability.

Q: Is the IRF2804PBF suitable for low-voltage applications?

A: It is designed primarily for medium to high-voltage applications, and using it in low-voltage scenarios may not be optimal.

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