Infineon Technologies IRLML2803TRPBF

Name: Infineon Technologies IRLML2803TRPBF
Price: 0.0705 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

30V 1.2A 540mW 250m@10V,910mA 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRLML2803TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C22826830

封装:SOT-23

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属性	值
制造商产品编号	IRLML2803TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	540mW
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Continuous Drain Current (Id)	1.2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	250mΩ@10V,910mA
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	30V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃@(Tj)
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	540mW
Current - Continuous Drain(Id)	1.2A
RDS(on)	250mΩ@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	[email protected]
Input Capacitance(Ciss)	85pF@25V
Gate Charge(Qg)	5nC@10V
Package	SOT-23
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.004

概述

The Infineon Technologies IRLML2803TRPBF is a powerful N-channel MOSFET designed for efficient power management. It offers low on-resistance, enabling optimal performance in various electronic applications. The device features a compact surface-mount package, promoting space-saving designs. With its fast switching capabilities, it is ideal for a range of high-frequency applications.

特征

Low on-resistance: Provides excellent conductivity for reduced power loss.

Fast switching speed: Enables quick response times in various applications.

Compact size: Surface-mount package allows for efficient use of PCB space.

High current rating: Capable of handling significant loads, enhancing application versatility.

Robust thermal performance: Maintains reliability under elevated thermal conditions.

应用

Circuit protection: Used in overcurrent and overvoltage protection circuits.

DC-DC converters: Serves as a switch in power conversion systems for efficiency.

Motor control: Ideal for driving and controlling small motors in devices.

Battery management: Functions in power distribution and battery charging systems.

LED driving: Employed in driving high-power LED applications effectively.

Load switching: Utilized for switching various loads in a variety of consumer devices.

设计注意事项

Thermal management: Proper heat dissipation is essential to maintain performance and reliability.

Gate drive voltage: Ensure the appropriate gate voltage is applied for optimal operation.

Switching frequency: Consider the frequency of operation to avoid switching losses.

Load characteristics: Match MOSFET specifications with the load requirements for safety.

PCB layout: Design should minimize inductive paths to reduce noise and increase efficiency.

常见问题

Q: What is the maximum gate-source voltage for the IRLML2803TRPBF?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V.

Q: Can this MOSFET be used for high-temperature applications?

A: Yes, it is rated for operation up to 150°C.

Q: What is the typical on-resistance at a gate voltage of 10V?

A: The typical on-resistance is around 10 mΩ.

Q: Is it suitable for driving inductive loads?

A: Yes, but proper flyback diodes should be used to protect against back EMF.

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