Infineon Technologies BSC600N25NS3G

Name: Infineon Technologies BSC600N25NS3G
Price: 0.9848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

250V 25A 125W 60m@10V 4V@90uA 1 N-Channel TDSON-8 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

BSC600N25NS3G

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C25647049

封装:TDSON-8

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属性	值
制造商产品编号	BSC600N25NS3G
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	3pF@100V
Type	N-channel
Gate Charge(Qg)	29nC@10V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
RDS(on)	60mΩ@10V
Pd - Power Dissipation	125W
Current - Continuous Drain(Id)	25A
Input Capacitance(Ciss)	2.35nF
Drain to Source Voltage	250V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@90uA
Output Capacitance(Coss)	149pF
Package	TDSON-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	5000
Weight	0.59

概述

The Infineon Technologies BSC600N25NS3G is a superjunction MOSFET designed for high-efficiency power applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for various consumer electronics. This device enhances performance in applications that require robust power handling and energy efficiency. It is part of the CoolMOS™ technology family, which focuses on reducing energy losses and improving thermal management.

特征

Low On-Resistance : Provides efficient conduction with minimal energy losses.

Fast Switching Speed : Enhances performance in high-frequency applications.

High Voltage Rating : Can handle high voltages up to 600V.

Improved Thermal Performance : Designed to manage heat more effectively.

Robust Gate Oxide : Ensures reliability under challenging conditions.

应用

Power Supplies : Ideal for switch-mode power supplies (SMPS).

Motor Drives : Used in driving electric motors efficiently.

LED Lighting : Suitable for efficient power control in LED applications.

Battery Chargers : Enhances charging efficiency in various devices.

Industrial Controls : Utilized in power management for automation systems.

Renewable Energy : Essential for power conversion in solar inverters.

设计注意事项

Thermal Management : Proper heat sinking is crucial to maintain performance and reliability.

Gate Drive Voltage : Ensure appropriate gate voltage for optimal switching performance.

Switching Frequency : Consider the implications of high frequency on thermal performance.

Packaging : Select suitable package types based on space constraints and thermal dissipation needs.

Parasitic Inductance : Design PCB layout to minimize inductance for better performance.

常见问题

Q: What should I consider for heat dissipation when using this MOSFET?

A: Ensure adequate heat sinking and airflow to manage thermal performance effectively.

Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?

A: Yes, but careful attention to current sharing and thermal management is required.

Q: What is the maximum gate voltage for this device?

A: The maximum gate-source voltage for the BSC600N25NS3G is typically ±20V.

Q: How does it perform at high switching frequencies?

A: It provides good performance at high frequencies but requires consideration of thermal effects.

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