Infineon Technologies IRLR024NTRPBF

Name: Infineon Technologies IRLR024NTRPBF
Price: 0.1422 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

55V 17A 45W 0.065@10V,10A 1V@250uA 1 N-Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRLR024NTRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C25992159

封装:DPAK(TO-252AA)

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属性	值
制造商产品编号	IRLR024NTRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	45W
Continuous Drain Current (Id)	17A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Drain Source Voltage (Vdss)	55V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	61pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	15nC@
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	0.065Ω@10V,10A
Input Capacitance (Ciss@Vds)	480pF@0V
Type	N-channel
Current - Continuous Drain(Id)	17A
Drain to Source Voltage	55V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2V@250uA
Pd - Power Dissipation	45W
Gate Charge(Qg)	15nC
RDS(on)	80mΩ@4.0V
Input Capacitance(Ciss)	480pF
Package	DPAK(TO-252AA)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2000
Weight	0.481

概述

The Infineon Technologies IRLR024NTRPBF is a N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it ideal for power management. This device is particularly suitable for applications requiring high-speed operation and thermal performance. With its robust construction and reliability, it caters to various electronic designs.

特征

Low On-Resistance: Provides enhanced current handling and reduced power loss.

Fast Switching Capabilities: Optimized for rapid transitions, minimizing switching losses.

High-Temperature Operation: Suitable for applications in elevated temperature environments.

Reliable Avalanche Ratings: Can withstand unexpected voltage spikes during operation.

Compact Packaging: Designed in a small footprint, facilitating space-efficient layouts.

应用

Power Supply Circuits: Utilized in DC-DC converters for efficient voltage regulation.

Motor Control: Implements in driving applications for brushless DC motors.

Battery Management: Integrates in systems for improved charging and discharge efficiency.

LED Drivers: Used for efficient control and operation of LED light sources.

Solar Inverters: Facilitates the conversion and control of solar energy systems.

Automotive Electronics: Employed in various automotive power management applications.

设计注意事项

Thermal Management: Adequate heat dissipation must be ensured through proper heatsinking or thermal pads to prevent overheating.

Gate Driving Voltage: Ensure compatibility of driving voltages with the MOSFET specifications to achieve optimal performance.

Switching Frequency: Assess the device's switching limits to avoid excessive losses that may affect reliability.

Parasitic Inductance: Minimize loop areas in PCB layout to reduce EMI and improve switching performance.

Load Characteristics: Consider the load's expected behavior to effectively choose and integrate the MOSFET in the circuit.

常见问题

Q: What happens if the gate voltage is too low?

A: Insufficient gate voltage may prevent the MOSFET from turning on fully, leading to higher on-resistance and potential overheating.

Q: How do I handle thermal issues with this MOSFET?

A: Employ proper heatsinking and ensure sufficient airflow, or utilize thermal vias in PCB design to manage heat dissipation.

Q: Can this MOSFET handle reverse voltage?

A: While it has avalanche ratings, it’s best to avoid reverse voltage to ensure long-term reliability.

Q: What is the maximum frequency for switching?

A: The IRLR024NTRPBF can switch at significant frequencies, but it’s advisable to stay within a practical range to avoid high switching losses.

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