Infineon Technologies IRF7807VTRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7807VTRPBF
Price: 0.7962 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

30V 8.3A [email protected],7A 2.5W 3V 1 N-Channel SOIC-8 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF7807VTRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C27965361

封装:SOIC-8

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属性	值
制造商产品编号	IRF7807VTRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Configuration	-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Pd - Power Dissipation	2.5W
Drain to Source Voltage	30V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Input Capacitance(Ciss)	-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3V
Current - Continuous Drain(Id)	8.3A
Gate Charge(Qg)	9.5nC@5V
RDS(on)	25mΩ@4.5V,7A
Package	SOIC-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	4000
Weight	0.223

概述

The Infineon Technologies IRF7807VTRPBF is a MOSFET designed for high-performance applications, ensuring efficient power management and switching capabilities. Its robust packaging and advanced engineering make it suitable for handling significant current levels with minimal losses. This component is ideal for systems requiring reliable and durable power solutions. With its enhanced thermal characteristics, it contributes to overall system efficiency and longevity.

特征

Maximum Drain-Source Voltage : 30V for reliable operation in various applications.

Continuous Drain Current : 80A enhances performance under load.

Low RDS(on) : Minimizes conduction losses, ensuring greater efficiency.

Fast Switching Speed : Effective for high-frequency applications.

TO-220 Package : Facilitates easy mounting and effective heat dissipation.

应用

DC-DC Converters : Used in power supply circuits for efficient voltage conversion.

Motor Drives : Suitable for controlling electric motors with precision.

Power Management : Enhances power efficiency in various electronic devices.

Solar Inverters : Optimizes power conversion in photovoltaic systems.

Battery Management : Improves charging and discharging efficiency in battery systems.

LED Drivers : Supports effective driving of LED arrays in lighting applications.

设计注意事项

Thermal Management : Adequate heatsinking is crucial to prevent thermal overload during operation.

Gate Drive Requirements : Ensure proper gate voltage levels for optimal switching performance.

Safe Operating Area (SOA) : Must be adhered to for reliable and long-lasting functionality.

Parasitic Inductance : Consider layout to minimize unwanted inductance in high-frequency applications.

Load Characteristics : Analysis of load profiles is important to prevent overload conditions.

常见问题

Q: What is the maximum temperature rating for the IRF7807VTRPBF?

A: The maximum junction temperature is typically rated at 175°C.

Q: Can this MOSFET handle reverse current?

A: The IRF7807VTRPBF is not designed for continuous reverse conduction; care should be taken to avoid reverse current.

Q: What are the optimal gate drive voltages for this component?

A: The recommended gate voltage ranges from 10V to 20V for efficient operation.

Q: How to improve the switching speed of this MOSFET?

A: Use a dedicated gate driver to provide adequate current and fast rise/fall times.

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