Infineon Technologies IRFR4615TRLPBF

Name: Infineon Technologies IRFR4615TRLPBF
Price: 0.4710 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

150V 33A 144W 42m@10V,21A 5V@100uA 1 N-Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFR4615TRLPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C28549226

封装:TO-252

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属性	值
制造商产品编号	IRFR4615TRLPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Configuration	-
Power Dissipation (Pd)	144W
Type	1 N-channel
Drain Source Voltage (Vdss)	150V
Continuous Drain Current (Id)	33A
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	26nC@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	40pF
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	42mΩ@10V,21A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	5V@100uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	1.75nF@50V
Type	N-channel
Gate Charge(Qg)	26nC@10V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	33A
Drain to Source Voltage	150V
Pd - Power Dissipation	144W
RDS(on)	42mΩ@10V,21A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	5V@100uA
Output Capacitance(Coss)	155pF
Input Capacitance(Ciss)	1.75nF
Package	TO-252
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.458

概述

The IRFR4615TRLPBF is a N-channel MOSFET designed to offer high-speed switching and efficient performance in power applications. Its low on-resistance minimizes power loss, making it suitable for energy-sensitive operations. This component is packaged for convenience, meeting various design needs without compromising on reliability. Ideal for applications demanding quick response and robust thermal performance, it ensures longevity and durability.

特征

Low on-resistance: This allows for improved efficiency and reduced heat generation during operation.

High speed: The MOSFET delivers fast switching capabilities, enhancing overall system performance.

High current rating: Supports substantial current handling, suitable for demanding applications.

Low gate charge: Optimizes drive requirements, thereby reducing energy consumption during switching.

Robust packaging: Offers enhanced protection and ease of integration into various designs.

应用

Power supplies: Utilized in DC-DC converters and power management systems.

Motor control: Effective for driving and controlling motors in various applications.

LED drivers: Used in lighting solutions for enhanced efficiency and brightness control.

Load switches: Functions well in power management for turning power on/off in devices.

Battery management: Plays a critical role in battery system efficiency and monitoring.

UPS systems: Integral for maintaining power stability in uninterruptible power supplies.

设计注意事项

Thermal management: Adequate heatsinking is necessary to prevent overheating during high load conditions.

Gate drive requirements: Ensuring proper gate voltage is critical for optimal switching performance.

Parasitic inductance: Minimizing loop inductance in PCB layout is important to prevent oscillations.

Electrical noise: Shielding and filtering may be required to reduce susceptibility to EMC issues.

Selection based on application: Properly match the MOSFET specifications with application demands to ensure reliability.

常见问题

Q: What happens if the gate voltage is too low?

A: A low gate voltage can result in slow switching and higher on-resistance, leading to inefficiency.

Q: Can this MOSFET handle high temperatures?

A: Yes, but proper thermal management is essential to maintain performance and prevent damage.

Q: Is it suitable for automotive applications?

A: Yes, it meets industry requirements for reliability in automotive power applications.

Q: What is the maximum current rating?

A: The IRFR4615TRLPBF can handle up to 55A, depending on the thermal environment.

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