Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF

Name: Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF
Price: 0.2064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

100V 6.6A 40W 0.48@10V,3.9A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFR9120NTRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C28800788

封装:DPAK(TO-252AA)

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属性	值
制造商产品编号	IRFR9120NTRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	40W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2V@250uA
Type	1 Piece P-Channel
Drain Source Voltage (Vdss)	100V
Continuous Drain Current (Id)	6.6A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	70pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	350pF@0V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	0.48Ω@10V,3.9A
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	27nC@
Drain to Source Voltage	100V
Number	1 P-Channel
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Type	P-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@250uA
Input Capacitance(Ciss)	350pF
Output Capacitance(Coss)	110pF
Pd - Power Dissipation	40W
Current - Continuous Drain(Id)	6.6A
RDS(on)	480mΩ@10V
Gate Charge(Qg)	[email protected]
Package	DPAK(TO-252AA)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2000
Weight	0.612

概述

The IRFR9120NTRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. It offers low on-resistance and minimal gate charge, contributing to enhanced system performance and energy savings. Its robust design ensures reliability and longevity in demanding environments. The component is suited for both high-speed switching and linear applications.

特征

Low on-resistance : Minimizes conduction losses, enabling better efficiency.

High-speed switching : Supports rapid switching applications for improved performance.

Low gate charge : Reduces drive power requirements, leading to energy savings.

High breakdown voltage : Ensures reliability in high-voltage applications.

RoHS compliant : Environmentally friendly design meets industry standards.

应用

Power supplies : Suitable for DC-DC converters and switch-mode power supplies.

Motor control : Implemented in various motor drive applications for efficient operation.

Lighting : Utilized in LED drivers and dimming circuits for optimized performance.

Battery management : Supports charging and discharging cycles in battery systems.

Automotive : Applies in electric vehicle systems and other automotive electronic modules.

Consumer electronics : Used in devices requiring precise power control.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heat sinking to prevent thermal overload.

Gate drive circuit : Design with appropriate driving strength to handle switching speeds.

Voltage ratings : Confirm that the application voltage does not exceed the MOSFET's breakdown limit.

PCB layout : Optimize layout for minimal inductance and resistance to enhance performance.

Parasitic effects : Account for capacitances and inductances in high-frequency applications to prevent oscillations.

常见问题

Q: What happens if the MOSFET operates outside its maximum ratings?

A: It can lead to thermal runaway, degradation, or permanent damage to the component.

Q: How do I protect the MOSFET from voltage spikes?

A: Use suitable snubber circuits or transient voltage suppressors to mitigate voltage spikes.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-speed switching, but proper layout and gate drive considerations are essential.

Q: What is the significance of R_DS(on)?

A: R_DS(on) determines the conduction losses; lower values lead to improved efficiency in applications.

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