Infineon Technologies IRFP4868PBF

Name: Infineon Technologies IRFP4868PBF
Price: 1.5458 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

300V 70A 517W 25.5m@10V,42A 3V@250uA 1 N-Channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFP4868PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C38724401

封装:TO-247AC

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属性	值
制造商产品编号	IRFP4868PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	193pF
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	5V@250uA
Current - Continuous Drain(Id)	70A
Pd - Power Dissipation	517W
Drain to Source Voltage	300V
Gate Charge(Qg)	270nC@10V
RDS(on)	32mΩ@10V
Output Capacitance(Coss)	612pF
Input Capacitance(Ciss)	10.774nF
Package	TO-247AC
Packaging	Tube-packed
Standard Package	25
Weight	7.36

概述

The Infineon Technologies IRFP4868PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for a variety of applications. This MOSFET is preferred in designs that require high-speed operation and minimal power loss. With its robust construction, it ensures reliability in demanding environments.

特征

Low On-Resistance : Provides reduced power loss and improved efficiency.

Max Continuous Drain Current : Handles high current levels, supporting demanding applications.

Fast Switching Speed : Reduces switching losses, enhancing overall performance.

High Gate Threshold Voltage : Ensures compatibility with various drive circuits.

Thermally Enhanced Package : Promotes better heat dissipation, improving reliability.

应用

Power Supplies : Used in DC-DC converters and power management systems.

Automotive Applications : Suitable for electric vehicles and hybrid systems.

Industrial Drives : Applies in motor control and automation solutions.

Renewable Energy : Employed in solar inverters and wind turbine controllers.

Consumer Electronics : Found in devices requiring efficient power switching.

Lighting Systems : Utilized in LED drivers and dimming solutions.

设计注意事项

Thermal Management : Adequate heat sinking is crucial to prevent thermal overload.

Gate Drive Voltage : Ensure gate voltage levels are within specified ranges for reliable operation.

Switching Frequency : Select appropriate frequencies to minimize switching losses.

Parasitic Inductance : Minimize inductance in PCB layout to enhance switching performance.

Load Conditions : Understand the load requirements to avoid exceeding the maximum ratings.

常见问题

Q: What happens if the MOSFET overheats?

A: Overheating can lead to failure, reduced efficiency, or permanent damage to the device.

Q: Can the IRFP4868PBF work at high switching frequencies?

A: Yes, but optimal performance depends on circuit design and thermal management.

Q: What is the maximum continuous drain current for this MOSFET?

A: The maximum continuous drain current is specified in the datasheet and varies with temperature.

Q: How do I ensure reliable switching?

A: Use appropriate gate drive circuits and keep gate trace lengths short to reduce inductance.

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