Infineon Technologies IRFP4568PBF

Name: Infineon Technologies IRFP4568PBF
Price: 1.5005 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

150V 171A 517W 5.9m@10V,103A 5V@250uA 1 N-Channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFP4568PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C43122230

封装:TO-247AC-3

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属性	值
制造商产品编号	IRFP4568PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	517W
Drain Source Voltage (Vdss)	150V
Continuous Drain Current (Id)	171A
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	227nC@10V
Type	N-channel
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	5V@250uA
Drain to Source Voltage	150V
Current - Continuous Drain(Id)	171A
Pd - Power Dissipation	517W
RDS(on)	5.9mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	203pF
Output Capacitance(Coss)	977pF
Input Capacitance(Ciss)	10.47nF
Gate Charge(Qg)	227nC@10V
Package	TO-247AC-3
Packaging	Tube-packed
Standard Package	25
Weight	7.16

概述

The Infineon Technologies IRFP4568PBF is a powerful N-channel MOSFET designed for high-efficiency applications. With a maximum drain-source voltage of 80V and a continuous current rating of 46A, it effectively supports demanding power requirements. This device features low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for various power management solutions. Its robust construction ensures reliability, even under harsh operating conditions.

特征

Low on-resistance : Offers a maximum R_DS(on) of 0.045 Ohm to minimize conduction losses.

High continuous current : Rated for up to 46A, suitable for substantial load applications.

Fast switching speed : Ensures rapid on/off cycling, enhancing overall system performance.

Thermal performance : Boasts a thermal resistance of 0.5°C/W, allowing for efficient heat dissipation.

Low gate charge : With a total gate charge of only 47nC, it allows for efficient drive requirements.

应用

Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies (SMPS) for efficient energy conversion.

Motor drivers : Applied in various motor control circuits for enhanced efficiency.

DC-DC converters : Used in buck and boost converters for effective voltage regulation.

Inverters : Integral to solar inverters for effective energy conversion from solar panels.

Power management : Involved in power distribution modules to optimize energy usage.

Lighting control : Employed in LED drivers for precise dimming capabilities.

设计注意事项

Gate drive voltage : Ensure that the gate drive voltage is within 10V-20V for optimal performance.

Thermal management : Adequate heat sinking is necessary to maintain operational reliability at high loads.

Switching frequency : Limit switching frequencies to avoid excessive heat generation and improve efficiency.

Load limitations : Be aware of maximum load ratings to prevent device failure under heavy stress.

PCB layout : Design layouts to minimize parasitic inductance and resistance for improved efficiency and reliability.

常见问题

Q: What are the implications of exceeding the maximum drain-source voltage?

A: Exceeding the maximum drain-source voltage can lead to breakdown, permanent damage, or failure of the MOSFET.

Q: How can I minimize heat generation in this MOSFET?

A: Use adequate heat sinking, optimize switching frequency, and ensure good PCB thermal design to minimize heat generation.

Q: What is the ideal gate drive voltage for the IRFP4568PBF?

A: The optimal gate drive voltage is typically between 10V and 20V to achieve low on-resistance.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: While it is capable of handling fast switching, care must be taken with layout to manage gate charge and minimize losses in high-frequency applications.

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