Infineon Technologies IPP086N10N3 G

Name: Infineon Technologies IPP086N10N3 G
Price: 0.7129 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

100V 80A 8.6m@10V,73A 125W 3.5V@75uA 1 N-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IPP086N10N3 G

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C44657597

封装:TO-220-3

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属性	值
制造商产品编号	IPP086N10N3 G
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	21pF@50V
Input Capacitance (Ciss@Vds)	3.98nF@50V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	8.6mΩ@10V,73A
Drain to Source Voltage	100V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	125W
Gate Charge(Qg)	55nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)	80A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3.5V
Input Capacitance(Ciss)	3.98nF@50V
RDS(on)	8.6mΩ@10V,73A
Package	TO-220-3
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.8

概述

The Infineon Technologies IPP086N10N3 G is a high-performance N-channel MOSFET designed for various power electronic applications. It boasts low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for energy-efficient systems. This MOSFET operates reliably in demanding conditions, ensuring minimal power loss. With its robust design, it enhances the performance of modern electronic devices.

特征

Low on-resistance : Ensures minimal power loss during operation.

High-speed switching : Facilitates efficient operation in fast-switching applications.

Rated for 100V : Suitable for a wide range of voltage applications.

High continuous drain current : Supports applications requiring significant current handling.

Compliant with RoHS standards : Environmentally friendly design suitable for global markets.

应用

DC-DC converters : Ideal for high-efficiency power conversion.

Motor drives : Enhances the performance of electric motors.

Power supplies : Supports reliable electrical distribution in varied devices.

Renewable energy systems : Utilized in solar inverters and wind power converters.

Electric vehicles : Contributes to the efficient management of electric propulsion systems.

Industrial automation : Plays a vital role in automation control systems.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heatsinking to handle power dissipation.

Gate drive requirements : Match the gate voltage with the MOSFET's specifications for optimal performance.

Switching frequency : Consider the application’s switching frequency to minimize losses.

Layout design : Optimize PCB layout to reduce inductance and enhance thermal performance.

Component selection : Use compatible components that can handle the current rating to avoid failures.

常见问题

Q: What is the maximum junction temperature for the IPP086N10N3 G?

A: The maximum junction temperature is typically rated at 150°C.

Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-speed switching, making it suitable for such applications.

Q: What should I consider for gate drive voltage?

A: The recommended gate drive voltage is between 10V and 15V for optimal performance.

Q: Is this MOSFET suitable for parallel operation?

A: Yes, but ensure proper gate drive and thermal management for each device.

物流	交货周期	对于库存零件，订单预计在 2 天内发货。 Chipmall.com 每天下午 5 点左右发货一次，周日除外。交货时间/天：东南亚 2-3天美国/加拿大 2-4天澳大利亚 2-4天欧洲 3-6天南美 4-7天中东 5-8天非洲 5-8天
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