Infineon Technologies IRF7343TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7343TRPBF
Price: 0.3590 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

55V [email protected],10V 2W 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF7343TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C44826364

封装:SO-8

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属性	值
制造商产品编号	IRF7343TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	2W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	36nC@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Type	1 N-Channel + 1 P-Channel
Drain Source Voltage (Vdss)	55V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	210pF
Input Capacitance (Ciss@Vds)	740pF@25V
Continuous Drain Current (Id)	4.7A;3.4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	50mΩ@4.7A,10V
Drain to Source Voltage	55V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃@(Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1V@250uA
RDS(on)	50mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)	740pF
Pd - Power Dissipation	2W
Type	N-Channel + P-Channel
Number	1 N-Channel + 1 P-Channel
Gate Charge(Qg)	36nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)	4.7A
Output Capacitance(Coss)	190pF
Package	SO-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	4000
Weight	0.286

概述

The Infineon Technologies IRF7343TRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management. It features a low on-resistance, enabling reduced heat generation and improved energy efficiency. This component is optimized for applications requiring fast switching speeds and reliable operation. It is particularly suited for modern power systems and contributes to overall system reliability.

特征

Low On-Resistance: 8.2 mΩ @ Vgs = 10V, enhancing efficiency in power applications.

Fast Switching: Designed for rapid transition times, facilitating efficient pulse-width modulation (PWM).

High Drain-Source Voltage (Vds): Rated up to 30V, allowing for versatile application in different voltage environments.

Robust Thermal Performance: Offers minimal thermal resistance, optimizing heat dissipation.

Suitable for High Frequency: Capable of operating effectively at high frequencies, making it ideal for demanding applications.

应用

Power Conversion: Effective in DC-DC converters enhancing energy transfer.

Motor Control: Used in driving applications for efficient motor management.

Telecom Equipment: Helps in the regulation of power in telecommunication devices.

Battery Management Systems: Supports safe operation and management of battery packs.

LED Drivers: Ideal for driving high-efficiency LED lighting solutions.

Solar Inverters: Plays a crucial role in converting solar energy into usable electrical power.

设计注意事项

Thermal Management: Adequate heatsinking is essential to manage thermal performance and prevent overheating during operation.

Gate Voltage Levels: Ensure proper gate-source voltage is applied for optimal turn-on and turn-off transitions.

Load Conditions: Be aware of the load ratings to avoid exceeding maximum current specifications.

Switching Speed: Consider the switching characteristics in high-frequency applications to prevent signal distortion.

Parasitic Capacitances: Account for parasitic capacitances that can affect switching behavior in certain applications.

常见问题

Q: What happens if the IRF7343TRPBF is operated beyond its maximum ratings?

A: Operating beyond maximum ratings can lead to thermal runaway and potential device failure.

Q: How does temperature affect the performance of the IRF7343TRPBF?

A: Increased temperature can raise on-resistance and reduce current-carrying capabilities.

Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?

A: Yes, but ensure proper thermal distribution and balanced voltage sharing between devices.

Q: What is the recommended gate drive voltage for optimal performance?

A: A gate-source voltage of around 10V is recommended for achieving low on-resistance and efficient switching.

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