Infineon Technologies IRFB5620PBF

Name: Infineon Technologies IRFB5620PBF
Price: 2.3203 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

TO-220AB MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRFB5620PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C45147589

封装:TO-220AB

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属性	值
制造商产品编号	IRFB5620PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Configuration	-
Power Dissipation (Pd)	-
Drain Source Voltage (Vdss)	-
Continuous Drain Current (Id)	-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	30pF
Drain to Source Voltage	200V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	18A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3V
Gate Charge(Qg)	25nC@10V
RDS(on)	60mΩ@10V,15A
Pd - Power Dissipation	144W
Input Capacitance(Ciss)	1.71nF
Package	TO-220AB
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.7

概述

The Infineon Technologies IRFB5620PBF is a robust N-channel MOSFET known for its high efficiency and low on-resistance. Ideal for various high-speed switching applications, it ensures reliable performance in demanding environments. With a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 162A, this MOSFET excels in power management tasks. Its design is optimized for thermal performance, making it suitable for compact and high-density applications.

特征

Low on-resistance : Offers a RDS(on) of 5.6 mΩ, enhancing efficiency and reducing heat generation.

High current capacity : Supports a maximum continuous drain current of 162A, enabling handling of substantial loads.

Fast switching speed : Facilitates rapid switching capabilities, essential for high-frequency applications.

Robust thermal performance : Designed to dissipate heat effectively, enhancing overall reliability.

Avalanche rated : Capable of withstanding voltage spikes, ensuring circuit protection during operation.

应用

Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.

Electric vehicles : Plays a key role in the powertrain management systems for optimized propulsion.

Motor drivers : Essential in controlling motors for robotics and automation applications.

Renewable energy : Employed in photovoltaic inverters for effective solar energy conversion.

LED drivers : Used in lighting systems for efficient energy management.

UPS systems : Critical for uninterruptible power supply systems to maintain power during outages.

设计注意事项

Thermal management : Adequate heat sinking should be implemented to manage thermal performance effectively.

Gate drive requirements : A suitable gate resistor must be chosen to minimize switching losses and ensure stable operation.

Parasitic inductances : Proper layout design should be employed to minimize inductances that could affect switching performance.

Voltage ratings : Ensure that the applied voltage does not exceed the maximum drain-source voltage (VDS) of 55V.

Current derating : Consider derating based on the cooling conditions to enhance reliability under varying load conditions.

常见问题

Q:What happens if I exceed the maximum VDS?

A:Exceeding the maximum VDS can lead to device breakdown and permanent damage.

Q:Is the IRFB5620PBF suitable for high-frequency applications?

A:Yes, it offers fast switching speeds making it suitable for high-frequency operations.

Q:What thermal management techniques can I use?

A:Using heat sinks and appropriate thermal interface materials will help manage temperatures effectively.

Q:Can this MOSFET handle inductive loads?

A:Yes, it is avalanche rated, which provides some level of protection against inductive kickback.

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