Infineon Technologies IRF7351TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7351TRPBF
Price: 0.5742 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

60V 8A 2W 17.8m@10V,8.0A 4V@50uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF7351TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C51056931

封装:SO-8

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属性	值
制造商产品编号	IRF7351TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	2W
Continuous Drain Current (Id)	8A
Drain Source Voltage (Vdss)	60V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	92pF@30V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	24nC
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	17.8mΩ@10V,8.0A
Drain to Source Voltage	60V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	2 N-Channel
Pd - Power Dissipation	2W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V
Current - Continuous Drain(Id)	8A
Gate Charge(Qg)	24nC
Input Capacitance(Ciss)	1.33nF
RDS(on)	17.8mΩ@10V,8A
Package	SO-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	4000
Weight	0.275

概述

The Infineon Technologies IRF7351TRPBF is an N-channel MOSFET designed for efficient power management in high-performance applications. This device features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for a variety of power electronic circuits. Its robust thermal performance allows for reliable operation at elevated temperatures. Overall, the IRF7351TRPBF is an excellent choice for enhancing system efficiency in demanding environments.

特征

Low On-Resistance : The device offers a low R_DS(on) of about 8.2 mΩ, contributing to reduced power losses.

Fast Switching Performance : Capable of switching speeds that optimize efficiency and enhance circuit performance.

High Voltage Rating : It supports a maximum drain-source voltage of 75V, making it suitable for various applications.

Enhanced Thermal Management : Designed to operate at high temperatures, ensuring reliability in demanding conditions.

Surface Mount Package : Its TO-220 package facilitates easy integration into diverse circuit designs.

应用

Power Supply Units : Suitable for use in switch-mode and linear power supplies.

Industrial Automation : Ideal for controlling motors and actuators in automation systems.

Renewable Energy Systems : Effective in DC-DC converters for solar and wind applications.

Automotive Electronics : Utilized in electric vehicle power management and battery systems.

Consumer Electronics : In voltage regulators and inverters for efficient power conversion.

设计注意事项

Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation with heatsinks or thermal pads to prevent overheating during operation.

Gate Drive Voltage : Provide appropriate gate voltage to ensure optimal switching performance and minimize losses.

Switching Frequency : Consider the maximum switching frequency to avoid excessive heat generation and ensure reliability.

Parasitic Inductance : Minimize parasitic inductance in PCB layout to optimize switching behavior and improve performance.

Safe Operating Area : Ensure operation within the device's specified safe operating area to avoid damage and promote longevity.

常见问题

Q: What happens if the MOSFET overheats?

A: Overheating can lead to thermal runaways, potentially damaging the device and affecting circuit performance.

Q: Can I use the IRF7351TRPBF in high-frequency applications?

A: Yes, but it is critical to ensure proper gate drive and layout to mitigate potential losses at higher frequencies.

Q: What is the maximum gate-source voltage?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V; exceeding this can cause breakdown and failure of the MOSFET.

Q: How do I calculate power dissipation?

A: Power dissipation can be calculated using P = I² × R_DS(on), considering the load current and the on-resistance.

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