Infineon Technologies IRF7341TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7341TRPBF
Price: 0.1628 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

55V 4.7A 2W 0.05@10V,4.7A 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF7341TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C54110471

封装:SO-8

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属性	值
制造商产品编号	IRF7341TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Power Dissipation (Pd)	2W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Drain Source Voltage (Vdss)	55V
Continuous Drain Current (Id)	4.7A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	71pF
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	0.05Ω@10V,4.7A
Input Capacitance (Ciss@Vds)	740pF@0V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	36nC@
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	55V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1V@250uA
RDS(on)	50mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)	740pF
Number	2 N-Channel
Pd - Power Dissipation	2W
Current - Continuous Drain(Id)	4.7A
Gate Charge(Qg)	36nC
Package	SO-8
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	4000
Weight	0.286

概述

The Infineon Technologies IRF7341TRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power switching. With a low on-resistance and high current capability, it provides optimal performance in various applications. Its robust construction ensures reliability and longevity in demanding environments. The device is tailored for applications requiring efficient power management and control.

特征

Continuous Drain Current : Handles up to 54A for enhanced power delivery.

Low On-Resistance : Features a maximum on-resistance of 0.022Ω, improving efficiency.

High Voltage Rating : Operates effectively at a drain-source voltage of 40V.

Fast Switching Speed : Optimized for quick switching, reducing energy losses.

Enhanced Thermal Performance : Designed with a thermal resistance of 30°C/W, ensuring better heat management.

应用

Power Supply Switches : Ideal for use in efficient power supply circuits.

Motor Control : Suitable for controlling DC motors in various applications.

DC-DC Converters : Efficiently used in step-down (buck) or step-up (boost) converters.

LED Drivers : Effectively manages power for LED lighting systems.

Battery Management Systems : Helps optimize charge and discharge processes in battery systems.

Power Inverters : Works well in converting DC to AC in renewable energy applications.

设计注意事项

Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation to avoid overheating, particularly in high-current applications.

Gate Drive Voltage : Use the specified gate-source voltage (10V) to ensure proper MOSFET operation.

Switching Frequency : Be aware of switching frequencies to minimize losses and ensure system efficiency.

Layout Design : Follow best practices for PCB layout to reduce parasitic inductance and improve performance.

常见问题

Q: What should I consider for driving the IRF7341TRPBF?

A: Ensure a suitable gate drive voltage of around 10V for optimal performance.

Q: How do I manage heat dissipation?

A: Use proper heatsinks and thermal management techniques to avoid thermal overload.

Q: Can I use this MOSFET in high-frequency applications?

A: Yes, but consider the switching speed and associated losses to maintain efficiency.

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