Infineon Technologies IQFH36N04NM6ATMA1

Name: Infineon Technologies IQFH36N04NM6ATMA1
Price: 4.7686 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

40V 656A 0.36m@10V 300W 2.8V@1050uA TSON-12 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IQFH36N04NM6ATMA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C57003777

封装:TSON-12

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属性	值
制造商产品编号	IQFH36N04NM6ATMA1
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	40V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Pd - Power Dissipation	300W
Current - Continuous Drain(Id)	656A
RDS(on)	0.36mΩ@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.8V@1050uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	178pF
Input Capacitance(Ciss)	18.6nF
Output Capacitance(Coss)	6.02nF
Gate Charge(Qg)	309nC@10V
Package	TSON-12
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.74

概述

The Infineon Technologies IQFH36N04NM6ATMA1 is a high-performance MOSFET transistor designed for efficient power management in electronic applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in high-efficiency circuits. This device is characterized by its ability to handle high currents and voltages while ensuring thermal stability. Its compact package design allows for space-saving implementations in various devices.

特征

High efficiency : Offers low on-resistance for enhanced energy savings.

Fast switching : Enables quick response times in power applications.

High current handling : Supports significant current loads, suitable for demanding applications.

Compact design : Space-efficient packaging for versatile application in tight layouts.

Thermal performance : Designed for improved heat dissipation, enhancing reliability.

应用

Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.

Motor control : Ideal for driving motors in automotive and industrial applications.

DC-DC converters : Enables compact and efficient conversion in various electronic devices.

Renewable energy systems : Integrated in inverter systems for solar or wind energy applications.

LED lighting : Used in power drivers for high-efficiency LED lighting systems.

Telecommunications : Supports power management in telecom devices and infrastructure.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating, especially in high-current applications.

Gate drive voltage : Optimize gate voltage to achieve desired switching performance and minimize losses.

Parasitic inductance : Minimize lead inductance in PCB layout to improve switching speed and reduce noise.

Load conditions : Analyze load characteristics to ensure appropriate device selection for reliable operation.

Circuit protection : Implement protective components to guard against voltage spikes that may exceed the device’s ratings.

常见问题

Q:What should I do if the MOSFET overheats?

A:Ensure proper thermal management strategies are in place, such as heat sinks or adequate PCB layout.

Q:What is the maximum gate voltage for this MOSFET?

A:The maximum gate voltage should not exceed the specified gate-source voltage limits in the datasheet.

Q:Can I use this MOSFET in parallel with another?

A:Yes, but ensure that both MOSFETs are thermally balanced and driven correctly to avoid uneven current sharing.

Q:What is the recommended gate drive circuit for optimal performance?

A:Utilize a dedicated gate driver capable of implementing the required voltage and current levels specified for the MOSFET.

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