Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G

Name: Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G
Price: 0.6494 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

200V 125m@10V,5.7A 50W 1 N-Channel TDSON-8-EP5x6 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

BSC12DN20NS3 G

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C60203865

封装:TDSON-8-EP(5x6)

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属性	值
制造商产品编号	BSC12DN20NS3 G
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Gate Charge(Qg)	-
Drain to Source Voltage	200V
Current - Continuous Drain(Id)	-
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Number	1 N-Channel
Input Capacitance(Ciss)	-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	-
Pd - Power Dissipation	50W
RDS(on)	125mΩ@10V,5.7A
Package	TDSON-8-EP(5x6)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	5000
Weight	0.153

概述

The Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G is a powerful N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It offers low on-resistance and a high-speed switching capability, making it ideal for a variety of power management tasks. This component is optimized for high performance while maintaining thermal stability and reduced losses. Its robust design serves multiple application requirements across several fields.

特征

Low On-Resistance: Achieves minimal power loss, enhancing efficiency in applications.

Fast Switching Speed: Supports high-frequency operation, improving response times.

High Breakdown Voltage: Operates safely at voltages up to 20V, ensuring reliability.

Excellent Thermal Performance: Manages heat effectively, allowing for compact designs.

Compact Package: Facilitates integration into space-constrained applications.

应用

Power Supply Units: Optimizes energy conversion in various power supplies.

Motor Control: Enhances efficiency in electric motor drives.

DC-DC Converters: Supports step-down and step-up conversion processes.

LED Lighting: Improves performance in LED driver circuits.

Battery Management Systems: Facilitates fast charging and discharging of batteries.

Automotive Electronics: Assists in power management tasks within vehicles.

设计注意事项

Gate Drive Voltage: Ensure optimal gate voltage for effective switching and to prevent damage.

Thermal Management: Incorporate adequate heat sinking to maintain performance under load.

Short Circuit Protection: Implement safeguards to minimize risks of component failure.

Switching Frequency: Match with application requirements to optimize efficiency.

Layout Optimization: Focus on minimizing parasitic inductance in PCB designs to enhance performance.

常见问题

Q: What is the maximum drain-source voltage for the BSC12DN20NS3 G?

A: The maximum drain-source voltage is 20V.

Q: How do I calculate the switching losses?

A: Calculate switching losses using the switching frequency and total gate charge data.

Q: Can this MOSFET handle high temperatures?

A: Yes, it has excellent thermal performance, but ensure proper thermal management.

Q: What is the recommended gate resistor value?

A: The gate resistor value depends on the drive circuit; typically ranges from 10 to 100 ohms.

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