Infineon Technologies IRLR7833TRPBF

Name: Infineon Technologies IRLR7833TRPBF
Price: 1.1130 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

30V 140A 4.5m@10V,15A 140W 2.3V@250uA 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRLR7833TRPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C61389653

封装:DPAK(TO-252AA)

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属性	值
制造商产品编号	IRLR7833TRPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	470pF
Pd - Power Dissipation	140W
Drain to Source Voltage	30V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	2.3V
Gate Charge(Qg)	33nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)	140A
RDS(on)	4.5mΩ@10V,15A
Input Capacitance(Ciss)	10nF
Package	DPAK(TO-252AA)
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	2000
Weight	0.497

概述

The Infineon Technologies IRLR7833TRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for various power applications. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for efficient energy management. The device is optimized for use in automotive as well as industrial applications, contributing to improved system reliability. Its compact package also facilitates easy integration into space-constrained designs.

特征

Low R_DS(on): Ensures minimal power loss during operation.

Fast Switching Speeds: Enhances efficiency in high-frequency applications.

High Current Capability: Supports demanding load requirements with ease.

Robust Thermal Performance: Maintains stability under varied thermal conditions.

Easy Gate Drive: Compatible with standard driving circuits for simplified design.

应用

Power Supplies: Utilized in switch-mode power supplies for improved energy efficiency.

Motor Drives: Employed in brushless DC motor drives for dynamic control.

Battery Management Systems: Supports efficient charging and discharging profiles.

Automotive Electronics: Used in vehicle lighting, HVAC systems, and powertrain.

LED Drivers: Suitable for driving high-power LEDs with consistent performance.

Renewable Energy Systems: Integrated into inverters for solar and wind applications.

设计注意事项

Gate Drive Voltage: Ensure appropriate gate voltage for optimal switching performance.

Thermal Management: Implement adequate heat sinking to maintain thermal stability under load.

Switching Frequency: Design circuit considering the MOSFET’s capability for high-frequency operations.

PCB Layout: Optimize layout to minimize parasitic inductance and resistance.

Load Conditions: Verify the MOSFET's specifications under various load and temperature scenarios.

常见问题

Q: What is the maximum gate-source voltage for the IRLR7833TRPBF?

A: The maximum gate-source voltage is ±20V.

Q: Can this MOSFET handle reverse voltage?

A: Yes, it has a built-in body diode that allows for reverse conduction.

Q: What is the typical on-resistance of the IRLR7833TRPBF?

A: The typical on-resistance is around 4.5 mΩ at a gate-source voltage of 10V.

Q: Is the IRLR7833TRPBF suitable for low-voltage applications?

A: Yes, it can be used in low-voltage applications, provided it operates within its specifications.

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