Infineon Technologies IPB042N10N3G

Name: Infineon Technologies IPB042N10N3G
Price: 0.4088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

100V 137A 4.2m@10V,100A 214W 3.5V@150uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IPB042N10N3G

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C71192324

封装:TO-263-3

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属性	值
制造商产品编号	IPB042N10N3G
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Power Dissipation (Pd)	214W
Type	1 N-channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	41pF@50V
Input Capacitance (Ciss@Vds)	8.41nF@50V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3.5V@150uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	117nC
Drain to Source Voltage	100V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	214W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3.5V
Current - Continuous Drain(Id)	137A
RDS(on)	4.2mΩ@10V,100A
Input Capacitance(Ciss)	8.41nF@50V
Gate Charge(Qg)	117nC
Package	TO-263-3
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	1000
Weight	2.028

概述

The Infineon Technologies IPB042N10N3G is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. With low on-resistance and fast switching capabilities, it enables better thermal performance and energy savings. Its compact size and robust construction make it suitable for demanding environments. This device is ideal for enhancing the efficiency of power conversion systems.

特征

Low On-State Resistance : Achieves excellent conduction efficiency, minimizing power losses.

Fast Switching Speed : Facilitates high-frequency operation for improved performance in converters.

High Thermal Stability : Designed to withstand significant temperature variations without compromising reliability.

Wide Gate-Source Voltage Range : Offers flexibility in control and drive circuits for various applications.

Rugged Design : Built to endure high voltages and currents, ensuring durability and longevity in use.

应用

Power Supply Units : Enhances efficiency and performance in AC-DC and DC-DC converters.

Electric Vehicles : Supports efficient power management and drive systems in electrified transport.

Renewable Energy Systems : Optimizes energy conversion in solar inverters and other green technologies.

Motor Drives : Improves performance in industrial and consumer motor control applications.

Telecommunications : Ensures reliable power delivery for network equipment and devices.

UPS Systems : Provides effective management of power supply in uninterruptible power systems.

设计注意事项

Thermal Management : Adequate heat dissipation is essential to maintain optimal performance; consider heat sinks or cooling systems.

Gate Drive Circuit : Proper design of the gate drive to ensure sufficient voltage and current levels for fast switching.

PCB Design : Ensure trace widths can handle the current without excessive heating, and consider layout for minimizing EMI.

Safe Operating Area (SOA) : Ensure operation within specified limits to prevent damaging the device.

Parasitic Effects : Account for inductance and capacitance in your circuit to optimize switching performance and minimize losses.

常见问题

Q: What is the maximum continuous drain current for the IPB042N10N3G?

A: The maximum continuous drain current is 42A under ideal conditions at a specific temperature.

Q: Can this MOSFET be used for high-frequency applications?

A: Yes, it is designed for high-frequency applications due to its fast switching capabilities.

Q: What is the safe operating temperature range?

A: The operating temperature typically ranges from -55°C to 170°C, but care should be taken regarding thermal management.

Q: Is a heat sink necessary for this MOSFET?

A: Depending on the application and load, a heat sink may be necessary to maintain desired operating temperatures.

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