Infineon Technologies IRF3808PBF

Name: Infineon Technologies IRF3808PBF
Price: 1.7012 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

75V 140A 330W 0.007@10V,82A 2V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF3808PBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C72498912

封装:TO-220AB

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属性	值
制造商产品编号	IRF3808PBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	130pF
Drain to Source Voltage	75V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@250uA
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	330W
RDS(on)	7mΩ@10V
Gate Charge(Qg)	220nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)	140A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	890pF
Output Capacitance(Coss)	6.01nF
Input Capacitance(Ciss)	7.5pF
Package	TO-220AB
Packaging	Tube-packed
Standard Package	50
Weight	2.75

概述

The Infineon Technologies IRF3808PBF is a powerful N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for various power management tasks. With its robust thermal performance, it can handle higher currents while maintaining reliability. This MOSFET is ideal for use in energy-efficient designs and applications demanding high performance.

特征

Low on-resistance : Minimizes power losses, enhancing efficiency in power conversion.

High-speed operation : Supports rapid switching, which is crucial for effective high-frequency applications.

Robust thermal performance : Designed to dissipate heat effectively, ensuring stable operation under load.

High voltage rating : Operates safely at voltages up to 55V, suitable for various power supply designs.

Easy to drive : Compatible with standard gate voltages for uncomplicated circuit integration.

应用

Power supplies : Ideal for switching power supplies and DC-DC converters.

Electric vehicles : Utilized in battery management systems for efficient power handling.

Renewable energy : Plays a critical role in solar inverters, enhancing energy conversion efficiency.

Motor control : Suitable for driving motors in robotics and automation systems.

LED drivers : Used in lighting applications for efficient power regulation.

Audio amplifiers : Enhances performance in high-fidelity audio output systems.

设计注意事项

Gate drive requirements : Ensure appropriate gate voltage to keep the MOSFET in saturation for optimal performance.

Thermal management : Implement proper heat sinking to maintain safe operating temperatures during high-load scenarios.

Parasitic inductance : Reduce inductance in PCB layout to minimize switching losses and improve reliability.

Current rating : Consider the maximum continuous current rating in application designs to prevent overheating.

Reliability assessment : Evaluate the device's performance under various conditions to ensure longevity in the intended application.

常见问题

Q: What is the maximum drain-source voltage for IRF3808PBF?

A: The maximum drain-source voltage is 55V.

Q: How do I calculate the heat dissipation of the MOSFET?

A: Use the formula P=I²Rds(on) to estimate power loss and apply thermal management accordingly.

Q: Can I use this MOSFET in a servo motor application?

A: Yes, it is suitable for servo motor applications with proper gate drive and thermal considerations.

Q: What is the typical on-resistance of the IRF3808PBF?

A: The typical on-resistance is approximately 9.3 mΩ at a gate-to-source voltage of 10V.

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