Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1

Name: Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1
Price: 1.9973 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

100V 100A 3m@10V,100A 300W 3.5V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IPP030N10N3GXKSA1

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C81603880

封装:TO-220

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属性	值
制造商产品编号	IPP030N10N3GXKSA1
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	69pF@50V
Drain to Source Voltage	100V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Pd - Power Dissipation	300W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	3.5V
Current - Continuous Drain(Id)	100A
Gate Charge(Qg)	206nC@10V
RDS(on)	3mΩ@10V,100A
Input Capacitance(Ciss)	14.8nF@50V
Package	TO-220
Packaging	Tube-packed
Standard Package	500
Weight	3.151

概述

The Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1 is a highly efficient N-channel MOSFET designed for power applications. Featuring low on-resistance and fast switching capabilities, it ensures effective energy management. This component is optimized for high-performance switching and can operate at high voltage levels. Its reliability and thermal efficiency make it an excellent choice for various power management designs.

特征

Low On-Resistance: Ensures reduced power losses during operation.

Fast Switching Speed: Facilitates efficient high-frequency operation.

High Voltage Rating: Capable of handling up to 100V for versatile applications.

Robust Thermal Performance: Effectively manages heat dissipation, enhancing reliability.

Easy to Drive: Compatible with standard gate drive circuits, simplifying integration.

应用

Power Supplies: Suitable for use in AC-DC converters to regulate voltage.

Motor Drives: Ideal for applications involving electric motor control and automation.

Battery Management: Utilized in systems for efficient energy storage and conversion.

LED Lighting: Applies in solid-state lighting for improved energy efficiency.

Renewable Energy Systems: Efficient in managing energy from solar and wind sources.

Electric Vehicles: Employed in power electronics for improved vehicle performance.

设计注意事项

Thermal Management: Must implement proper heat sinking to handle increased thermal load during operation.

Gate Drive Requirements: Ensure suitable gate voltage levels for optimal switching performance.

Switching Frequency: Balance between efficiency and frequency to minimize losses.

Parasitic Inductance: Design PCB layout to minimize inductance and enhance performance.

Load Conditions: Monitor load characteristics to prevent exceeding maximum ratings.

常见问题

Q: What is the maximum current rating for the IPP030N10N3GXKSA1?

A: The maximum continuous current rating is 30A at the specified temperature.

Q: How should I handle thermal management for this MOSFET?

A: Implement heat sinks and ensure adequate airflow to dissipate heat effectively.

Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?

A: Yes, but ensure proper load sharing and consider the layout to minimize effects of inductance.

Q: What gate voltage is required to fully turn on the MOSFET?

A: A gate voltage typically around 10V is recommended for optimal conduction.

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