Infineon Technologies IRF4905STRLPBF

Name: Infineon Technologies IRF4905STRLPBF
Price: 0.5338 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

55V 42A 20m@10V,42A 170W 4V@250uA 1 Piece P-Channel D2PAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF4905STRLPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C91113737

封装:D2PAK

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属性	值
制造商产品编号	IRF4905STRLPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	450pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	180nC@
Drain to Source Voltage	55V
Number	1 P-Channel
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@250uA
Gate Charge(Qg)	180nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)	70A
RDS(on)	20mΩ@10V
Pd - Power Dissipation	170W
Output Capacitance(Coss)	1.25nF
Input Capacitance(Ciss)	3.5nF
Package	D2PAK
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	800
Weight	2.343

概述

The Infineon Technologies IRF4905STRLPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management. It features low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for various electronic applications. This device offers reliable operation in both low and high voltage settings. Its compact size and robust construction ensure durability in rigorous environments.

特征

Low on-resistance : Offers a maximum R_DS(on) of 0.075 ohms for efficiency.

High-speed switching : Capable of switching on and off rapidly, reducing power loss.

Thermal performance : Designed to handle substantial heat dissipation with adequate thermal management.

High gate threshold voltage : Adjustable gate voltage enables wide application versatility.

Robust packaging : Packaged in a TO-220 footprint for effective heat dissipation.

应用

Power converters : Used in DC-DC converters for improved performance and efficiency.

Motor control : Ideal for driving motors due to its rapid response and low heat generation.

Lighting applications : Suitable for LED drivers and dimmers.

Battery management systems : Effective in managing the charging and discharging cycles.

Renewable energy systems : Can be used in solar inverters and wind converters.

Automotive applications : Provides effective switching in electric vehicles and hybrids.

设计注意事项

Heat management : Ensure proper heat sinking to prevent thermal overload during high current operation.

Gate drive requirements : Adequate gate voltage levels are needed for optimal turn-on and turn-off times.

Voltage ratings : Stay within the specified drain-source breakdown voltage to avoid device failure.

Switching frequency : Evaluate application switching frequency to select appropriate component ratings.

Parasitic inductance : Keep lead lengths short to minimize inductance effects and enhance performance.

常见问题

Q: What is the maximum drain-source voltage for the IRF4905STRLPBF?

A: The maximum drain-source voltage is 55V.

Q: Can this MOSFET handle high current applications?

A: Yes, it can handle continuous drain current up to 74A when properly cooled.

Q: Is the IRF4905STRLPBF suitable for low voltage applications?

A: Yes, it is versatile enough for both low and high voltage applications.

Q: What is the ideal gate voltage for optimal performance?

A: The ideal gate voltage for full enhancement is around 10V.

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