Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF

Name: Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF
Price: 1.8595 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

200V 18A 150W 0.15@10V,11A 2V@250uA 1 N-Channel D2PAK MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

IRF640NSTRLPBF

制造商:

Infineon

Chipmall产品编号:C91936648

封装:D2PAK

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属性	值
制造商产品编号	IRF640NSTRLPBF
制造商	Infineon
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	53pF
Type	N-channel
Drain to Source Voltage	200V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	4V@250uA
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Number	1 N-Channel
Current - Continuous Drain(Id)	18A
Pd - Power Dissipation	150W
RDS(on)	150mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)	1.16nF
Gate Charge(Qg)	67nC@10V
Package	D2PAK
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	800
Weight	2.343

概述

The Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF is a power MOSFET designed for efficient switching applications. It offers low on-resistance and high-speed operation, making it ideal for a variety of power management tasks. This component is suitable for use in circuits that require high voltage and current handling. Its robust performance enhances the overall efficiency of designs in which it is implemented.

特征

Low on-resistance : The IRF640NSTRLPBF features a low R_DS(on) of 0.18 ohms, which reduces power losses.

High voltage rating : With a drain-source voltage (V_DS) of 200V, it is well-suited for high-voltage applications.

Fast switching speed : This device provides rapid switching capabilities, facilitating efficient operation in high-frequency applications.

Enhanced thermal performance : The package design supports effective heat dissipation, extending component reliability.

Easy to drive : It requires minimal gate drive voltage, simplifying design integration.

应用

Switching power supplies : The IRF640NSTRLPBF is extensively used in DC-DC converter circuits.

Motor control : It is implemented in applications controlling motor speed and torque.

Audio amplifiers : Utilized in high-performance audio amplification circuits for efficient signal processing.

LED lighting : Serves in driving LEDs where efficient switching is critical.

Battery management systems : Fosters power conversion in battery charging and regulation.

Uninterruptible power supplies (UPS) : Used in systems requiring reliable energy backup solutions.

设计注意事项

Thermal management : Ensure adequate heat sinking to maintain device performance and lifetime.

Gate drive circuitry : Design the gate drive to minimize turn-on and turn-off losses for optimal efficiency.

Voltage ratings : Always consider the maximum V_DS to prevent breakdown in high-voltage environments.

Switching frequency : Take into account the effective switching frequency to prevent excessive heating and losses.

Parasitic effects : Mitigate inductive and capacitive parasitic elements in layout to enhance switching performance.

常见问题

Q: What happens if the IRF640NSTRLPBF is exposed to voltages above 200V?

A: Exceeding the maximum voltage can lead to device breakdown and failure.

Q: Can I use the IRF640NSTRLPBF in a high-frequency application?

A: Yes, but ensure to provide proper gate drive and consider the device's switching characteristics.

Q: Is heat sinking necessary for the IRF640NSTRLPBF?

A: Yes, adequate heat sinking is crucial for maintaining performance and preventing thermal damage.

Q: What is the maximum gate voltage for the IRF640NSTRLPBF?

A: The maximum gate voltage (V_GS) is ±20V to avoid damaging the gate oxide.

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