Vishay Intertech SI2301CDS-T1-GE3

Name: Vishay Intertech SI2301CDS-T1-GE3
Price: 0.0454 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (23 reviews)

20V 2.3A 0.86W [email protected],2.8A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

制造商产品编号:

SI2301CDS-T1-GE3

制造商:

VISHAY

Chipmall产品编号:C28365739

封装:SOT-23

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属性	值
制造商产品编号	SI2301CDS-T1-GE3
制造商	VISHAY
产品分类	MOSFETs
RoHS	Yes
ECCN	EAR99
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Type	1 Piece P-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Continuous Drain Current (Id)	2.3A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	55pF@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)	405pF@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	55pF
Power Dissipation (Pd)	0.86W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	3.3nC@10V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	0.112Ω@4.5V,2.8A
Number	1 P-Channel
Drain to Source Voltage	20V
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+150℃
Type	P-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1V@250uA
Current - Continuous Drain(Id)	3.1A
Pd - Power Dissipation	1.6W
RDS(on)	142mΩ@2.5V,2.7A
Output Capacitance(Coss)	75pF
Input Capacitance(Ciss)	405pF
Gate Charge(Qg)	[email protected]
Package	SOT-23
Packaging	Tape & Reel (TR)
Standard Package	3000
Weight	0.041

概述

The Vishay Intertechnology SI2301CDS-T1-GE3 is a N-channel MOSFET designed for high efficiency and low on-resistance applications. It features a compact SMD package, ensuring easy integration into space-constrained designs. Its high-speed switching capability enhances performance in various electronic circuits. This component is suitable for applications requiring low power loss and thermal stability.

特征

Low On-Resistance : Offers a typical RDS(on) of just 0.015 ohms, contributing to energy efficiency.

High Switching Speed : Designed for fast switching applications, improving overall circuit response.

Wide Voltage Range : Supports a maximum drain-source voltage (VDS) of 20V, making it versatile for different circuits.

Compact Package : Comes in a small SMD format ideal for space-limited applications.

Thermal Performance : Provides excellent thermal stability, ensuring reliable operation under varied conditions.

应用

Power Management : Used in power supply converters for efficient energy transfer.

Motor Control : Ideal for driving DC motors in robotics and automation.

Battery Management : Employed in battery management systems for efficient charging and discharging.

LED Drivers : Utilized in LED lighting circuits to enhance brightness and efficiency.

Signal Switching : Acts as a switch in various electronic control circuits for signal modulation.

Load Switching : Suitable for load control in consumer electronics and appliances.

设计注意事项

Thermal Management : Ensure proper heat dissipation to maintain optimal operating temperature under load conditions.

Gate Drive Requirements : Use appropriate gate drive voltage to fully enhance the MOSFET for efficient operation.

Switching Frequency : Consider switching frequency limits to minimize losses during operation.

PCB Layout : Optimize PCB layout for minimal parasitic inductance and resistance to enhance performance.

常见问题

Q: What is the maximum temperature the SI2301CDS-T1-GE3 can handle?

A: The maximum junction temperature is 150°C, but maintaining lower temperatures is recommended for reliability.

Q: How can I reduce on-resistance in my application?

A: Ensure proper gate drive voltage and minimize the distance between the MOSFET and load.

Q: What should I do if I experience excessive heat during operation?

A: Check the thermal management system and ensure adequate heat sinking and airflow are in place.

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